SemiQは1700 V SIC Schottkyディスクリートダイオードと2ダイオードモジュールをそのQSiCに導入する™製品シリーズ。新設備はスイッチング電源（SMPS）、無停電電源（UPS）、誘導加熱器、溶接設備、DC/DCコンバータ、太陽エネルギーインバータ、電気自動車（EV）充電ステーションなど、多種の高需要応用のサイズと電力要求を満たしている。

SemiQの1700 V SiC Schottkyダイオード技術は逆回復電流がなく、スイッチング損失が極めて低い。この技術はまた熱管理を改善し、冷却への需要を削減した。そのため、エンジニアは非常に効率的で高性能なシステムを設計することができ、システムが発生する熱を減らし、それによってより小さな放熱器を使用し、コストと空間占有を低減することができる。すべての新しいデバイスは、-55 Cから175 Cまでの異なる動作接合温度（Tj）間を迅速に切り替えることができます。

GP 3 D 050 B 170 X（ベアチップ）とGP 3 D 050 B 170 B（TO−247−2 Lパッケージ）ディスクリートダイオードの最大順方向電流はそれぞれ110 Aと151 Aである。このデバイスの設計により、並列構成が簡略化され、さまざまな電力アプリケーションの柔軟性と拡張性が向上します。

GHXS 050 B 170 S-D 3とGHXS 100 B 170 S-D 3のデュアルダイオードモジュールは耐久性のあるモジュールで、SOT-227を用いてパッケージ化されている。各コンポーネントの最大順方向電流はそれぞれ110 Aと214 Aである。

これらのコンポーネントは、低損失および低電磁干渉（EMI）動作を伴う高周波で卓越した性能を示しています。干渉を減らすことでエネルギー効率と信頼性を最大化する。この製品の主な特徴は極小の浮遊インダクタンス、高接合温度での操作能力、耐久性と取り付けやすい内部絶縁パッケージ（AIN）であり、優れた絶縁と熱伝導率を提供している。接合とシェルの間の低熱抵抗は熱の有効な放出を確保し、高出力レベルで運転しても安定性を保証することができる。モジュールの正の温度係数（Tc）は、並列接続時に前方電圧（Vf）をより便利にする。

SemiQ氏によると、これらの新開発の1700 V SiCダイオードは電力効率と信頼性の面で顕著な進歩を示している。SemiQのQSiC™ダイオードはコンパクトで柔軟な設計、低損失、優れた熱管理を備えている。これらのダイオードにより、コストを削減し、システム全体の効率を向上させながら、先進的で高性能なソリューションを開発できます。すべてのコンポーネントは1870 Vを超える電圧試験に合格し、1250 mJまでのエネルギーを持つ雪崩試験を完了した。

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