First Tech

製品名：GHXS 030 A 120 S-D 3

タイプ：Diode module

メーカー：SemiQ

製品概要：GHXS 030 A 120 S-D 3はSemiQ社が発売した高性能炭化ケイ素（SIC）ダイオードモジュールである。このモジュールは先進的なSiC技術を採用し、電力電子システムに卓越した効率と信頼性を提供している。SiCダイオードはその低スイッチング損失、高動作温度、優れた熱性能で知られ、各種の高要求の応用シーンに適している。

主な特徴：

高効率：SiC材料の高バンドギャップ特性はダイオードをより高い周波数で動作させ、エネルギー損失を減少させ、全体システムの効率を高めた。

高温操作：GHXS 030 A 120 S-D 3は175 Cまでの接合温度で安定して動作でき、劣悪な環境での使用に適している。

高速スイッチ：SiCダイオードの高速回復特性により、極めて高速なスイッチ速度を実現でき、スイッチ損失を低減した。

高電圧能力：このモジュールは1200 Vの逆電圧定格値を有し、高電圧応用を処理することができる。

コンパクト設計：モジュールのコンパクトサイズにより、さまざまな電力電子機器に容易に統合できます。

応用分野：GHXS 030 A 120 S-D 3 SiCダイオードモジュールは多種の高効率と高電力密度の応用に適用され、以下を含むが、これに限らない：

電気自動車（EV）とハイブリッド自動車（HEV）の充電と動力システム

ソーラインバータ

産業用モータ駆動

無停止電源（UPS）

高周波電源変換器

技術仕様：

逆電圧（V _ RRM）：1200 V

順方向電流（I _ F）：30 A

順方向電圧（V _ F）：典型的な値は1.5 V（30 Aの場合）

リバースリカバリ時間（t _ rr）：典型的な値は35 ns

接合温度範囲（T _ j）：−55 C〜175 C

GHXS 030 A 120 S-D 3 SiCダイオードモジュールは、SemiQ社が現代の電力電子システムの高性能、高信頼性、高効率に対する需要を満たすために設計した。その先進的な技術と優れた性能は、さまざまな要求の高いアプリケーションの理想的な選択肢になっています。