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浮思特-SIC Module

SiC MODULE

MPRA1C65

浮思特研发的MPRA1C65-S61 SiC模块采用了先进的碳化硅(SiC)半导体技术,以其卓越的性能和创新的设计,重新定义了功率电子的标准。
SiC MODULE
产品详情

  浮思特研发的MPRA1C65-S61 SIC模块采用了先进的碳化硅(SiC)半导体技术,以其卓越的性能和创新的设计,重新定义了功率电子的标准。它不仅拥有更高的热导率和更低的导通电阻,还能够在极端的工作条件下保持稳定,显著提升了系统的整体效率和可靠性。

SiC Module

  浮思特 MPRA1C65-S61 封装信息:

封装信息_100%.jpg

  封装电路图:

电路图


  特征:

  几乎无开关损耗

  可忽略的反向恢复

  更高的开关频率

  高浪涌电流能力

  提高的系统效率


  优势:

  开关特性几乎与温度无关

  正的温度系数

  散热的要求

  RoHS无卤素/符合RoHS标准


  无论是在高温环境下的持久运行,还是在高频率下的精确控制,MPRA1C65-S61 SiC模块都能提供无与伦比的性能表现。浮思特的这款碳化硅模块,将为电动汽车、可再生能源系统和工业电机驱动等关键领域带来革命性的变化。

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