深圳市浮思特科技有限公司
新闻资讯
滑动触摸功能因操作直观、外观简洁、寿命长等特点，被广泛应用于空调面板、智能灯具、电磁炉、音响设备以及车载控制系统中
随着新能源汽车、光伏储能、充电桩以及工业自动化设备的快速发展，功率半导体器件正朝着高效率、高功率密度和高可靠性的方向演进。其中，碳化硅(SiC)功率模块凭借优异的材料特性和性能优势，逐渐成为新一代电力...
本文将阐述配电变压器如何将中压降为用电标准电压、安装位置对馈线电压及线路损耗的影响、不同用户负荷构成下的负载变化规律
随着智能手机、平板电脑、笔记本电脑、车载显示以及工业控制设备的快速发展，显示面板已经成为现代电子产品不可或缺的重要组成部分。很多人在了解显示技术时都会产生一个疑
随着小型化需求的日益增长，将逆变器的基本功能单片集成到GaN集成电路中已成为一项严格要求。尽管这种集成对半导体制造商构成了重大挑战
在更广阔的背景下，硅之所以能继续占据关键地位，是因为它在系统级平衡最为重要的领域持续演进。英飞凌在器件架构、晶圆技术、封装和针对特定应用的优化等方面不断推进硅功率MOSFET技术
单片机最小系统通常指让单片机能够正常运行的最基础电路结构，一般包括电源电路、时钟电路、复位电路以及基础下载/调试接口。它的作用是保证单片机稳定启动并执行程序，是所有功能扩展的基础平台。
在功率电子设计领域，IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是逆变器、变频器、焊机等设备的核心元件。而工程师面临的首要问题往往是：该选IGBT单管，还是IGBT模块?
通常运行在4至35千伏电压等级的一次配电系统，其设计师们正面临新的规划与运行环境。驱动这一变化的因素包括
升压式变换器(Boost Converter)作为一种常见的DC-DC电源转换电路，凭借其高效率和灵活性，被广泛应用于各种电子系统中。
包括高 k 金属栅极、FinFET、EUV 光刻、纳米片晶体管、背面供电、互补 FET 和高数值孔径 EUV 等多项创新
本文总结了一种新颖的概念方案，该方案基于对分立SiC功率器件的重新封装，构建出高性能智能功率模块(IPM)，在成本、定制化和灵活性方面具备优势。
随着工业自动化、通信设备、新能源汽车、医疗设备以及数据中心等行业的快速发展，电子设备的功率密度不断提升，散热问题已成为影响设备稳定性和寿命的重要因素。而在众多散
电网现代化被认为是满足未来电力需求的关键要求。直流电网提高了功率变换和配电效率，并且与分布式可再生能源和电池储能系统具有更好的兼容性。
当今的计算工作负载日益繁重，服务器机架功耗现已超过 2 千瓦。这使得传统冷却方法逼近其物理极限，意味着热设计已成为下一代数据中心架构师的首要考量
什么是开环霍尔电流传感器?它的工作原理和应用优势有哪些?本文将进行详细解析。
随着新能源汽车、光伏逆变器、储能系统以及工业电源的发展，SiC MOSFET(碳化硅MOSFET)逐渐成为高效率电力电子系统中的核心器件。相比传统硅基MOSFE
有效管理这两类故障——消除系统性缺陷和控制随机硬件故障——对于达到所需的安全完整性等级(SIL)至关重要。
知识专栏