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该系列产品专为下一代功率转换系统设计，其电流补偿型环形磁芯双扼流圈的直流链路电压最高可达1250 V(或交流630 V)，满足了现代高压架构在电磁干扰(EMI)抑制
该系列产品支持 85 至 305 Vac 的输入范围，因此能够在工业、照明和楼宇自动化应用中常用的标称 277 Vac 系统下运行。
他表示，英飞凌通过软件支持、配置工具以及可视化工具(如内置的虚拟示波器)来实现这一目标，使工程师能够实时看到参数调整对系统的影响
这款 506 kW 的逆变器集成了高密度硬件、快速控制算法以及基于数据驱动的优化技术，以满足公用事业规模太阳能项目不断发展的需求。
该芯粒的硅基底厚度仅为19微米，并采用统一的制造工艺，将氮化镓晶体管与片上硅基数字控制电路集成在一起。这种方法消除了对单独控制芯粒的需求，减少了互连损耗
新器件型号为STDRIVEG212和STDRIVEG612，分别支持高达220V和600V的高侧电压，可在多种功率系统中实现高效运行
这些器件面向高性能运动控制与电源应用，例如机器人、无人机以及紧凑型电池供电系统，旨在在提升系统稳健性与效率的同时，简化设计复杂度。
据美国半导体行业协会(SIA)最新发布的数据显示，2026年2月全球半导体销售额达到888亿美元，较今年1月的825亿美元环比增长7.6%，与2025年2月的549亿美元相比，同比大幅增长61.8%
近日，威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布推出一款车规级光伏MOSFET驱动器——VODA1275。该产品由威世半导体部门开发，专为高压应用场景设计，旨在提升系统可...
英飞凌科技股份公司近日推出了一款基于TLVR(跨电感稳压器)技术的四相电源模块，旨在满足下一代人工智能数据中心日益增长的电力需求。
近日，三菱电机株式会社宣布，已就参与罗姆株式会社与东芝电子元件与存储株式会社的半导体业务整合事宜，签署了一份谅解备忘录。
Diodes Incorporated 推出了一系列符合汽车标准的N沟道MOSFET产品，采用PowerDI8080-5封装，其中包括一款专为高效率48V系统设计的100V器件
台积电CEO魏哲家在今年2月与日本首相会面时透露，该厂将采用3nm制程并进入量产。此说法随后在修订后的计划中得到进一步明确
将反激式变换器的功率能力提升至 440W，为传统的谐振和 LLC 拓扑结构提供了一种更简洁的替代方案。
在2026年亚太电力电子会议(APEC)上，EPC宣布发布其第18版GaN可靠性报告(RR)，同时推出了全新的EPC91121三相无刷直流(BLDC)电机驱动评估板
瑞萨电子株式会社发布了业界首款650V级双向氮化镓开关器件TP65B110HRU，该产品专为简化光伏微型逆变器、人工智能数据中心
该产品精准适配基于 GaN(氮化镓)和 SiC(碳化硅)等宽禁带技术的电力系统。随着宽禁带器件开关速度提升，快速开关边缘易引发显著电磁干扰
德州仪器(TI)发布了两款隔离式电源模块，旨在提升电动汽车、数据中心及其他高要求应用场景中的功率密度、效率和安全性。
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