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近日，台积电位于美国亚利桑那州的工厂顺利进入试产阶段，并展现出与中国台湾南科厂相媲美的良率水平，这一成就不仅彰显了台积电在全球化布局中的坚实步伐，也为全球半导体供应链注入了新的活力。
然而，在实际操作中，很多电子爱好者常常会遇到如何识别MOSFET的三个极(源极、漏极和栅极)的问题。本文将为您详细介绍如何使用万用表判断MOSFET的三个极。
本文将深入探讨IPM智能功率模块的应用场景及其带来的优势，帮助您理解为何选择IPM技术是迈向未来的重要一步。
单片机开发板作为嵌入式系统开发的基础工具，正越来越受到广泛关注。无论是学生、工程师还是爱好者，单片机开发板都为他们提供了一个便捷、高效的开发平台。
近日，美国Qromis公司宣布推出其最新研发成果——Qromis衬底技术(QST)，这一工程化衬底技术无疑将为氮化镓(GaN)器件的制造带来革命性的变化。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是两种广泛使用的半导体器件。了解它们的区别对于选择合适的器件用于特定应用至关重要。本文将深入探讨IGBT和MOSFET之间的关键...
无论是手机、电视、还是各种工业设备，液晶显示器都以其优质的显示效果和较低的能耗广泛应用。而液晶显示器的核心驱动芯片，正是实现这些优点的关键所在
它们不仅能够有效提升电源转换效率，还能在体积和性能上给予设计师更多的灵活性。特别是8脚开关电源芯片，由于其简单的引脚布局和良好的性能，成为了许多电子工程师的首选。
力积电(Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation)正式展示了其最新研发的Logic-DRAM 3D晶圆堆叠技术。这项技术的推出，标志着半导体行...
在现代电子技术中，功率半导体和分立器件是两个重要的概念。虽然二者在某些方面有重叠，但它们在结构、应用、性能等方面却存在显著的区别。
充电速度有所提高，但更高的充电电流需要更高额定值的电子元件，而这些元件会在 EV 壁挂式充电器中产生更多热量。这种热量限制了许多家用充电器的使用寿命，但欧姆龙开发了一款高功率 PCB 继电器 G9KC...
变压器虽然具有高效率，但在研究变压器理论时，考虑某些损耗是至关重要的。这些损耗大致可以分为核心损耗和线圈损耗。核心损耗相对恒定，来源于磁路，其随变压器电流变化而变化不大
中芯国际(SMIC)凭借国内扩产和本土化生产的优势，预计到2026年，其年营收将超过百亿美元。中芯国际正在积极建设四大晶圆厂，预计将显著提升产能，从每月80.6万片的生产能力增加到116.6万片。
尽管它们在某些应用中可以互换使用，但它们之间有许多关键的区别。本文将详细阐述这两种器件的结构、工作原理、优缺点和应用场景，以帮助读者更好地理解它们的区别。
IPM模块是一种集成的功率电子设备，通常包括功率MOSFET或IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、驱动电路、保护电路等多种功能模块的组合。由于其高度集成的特性，IPM模块能够在较小的体积内实现多种功能
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为高效能的开关器件，被广泛应用于电力转换、驱动控制等领域。尤其是单管IGBT，由于其独特的优越性，成为了许多高功率应用中的首选。
三星电子在中国市场面临着严峻的挑战，其智能手机产品在大陆市场的占有率已跌至约1%，这一数字反映了公司在当地市场的艰难处境。为了扭转这一局面，三星电子中国公司决定采取果断措施，对业务结构进行深度调整
电子元器件在现代电子设备中发挥着至关重要的作用。为了确保设备的正常运行，必须对其进行有效的检测和判断。本文将介绍几种常见的电子元器件检测方法
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