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行业资讯SemiQ 公司近日推出了一系列三款 1200V SIC 全桥模块，每款模块均包含两个该公司自主研发的、具有可靠体二极管的高速开关 SiC MOSFET。这些模块旨在简化光伏逆变器、储能系统、电池充电和其他高频直流应用的开发，为工程师提供高效、紧凑的电源解决方案。
该系列模块提供 18mΩ、38mΩ 和 77mΩ(RDSon)三种规格，并已在超过 1350V 的电压下进行了严格测试。它们支持高达 102A 的连续漏极电流、250A 的脉冲漏极电流以及 333W 的最大功耗。
为满足高性能应用需求，这款坚固耐用的 B2 模块可在高达 175°C 的结温下稳定运行，并具有极低的开关损耗(77mΩ 规格在 25°C 时 EON 为 0.13mJ，EOFF 为 0.04mJ)。此外，它们还表现出极低的零栅压漏极和栅源漏电流(所有规格均为 0.1µA/1nA)以及低结壳热阻(18mΩ 模块为 0.4°C/W)。
目前，这些模块已可立即投入使用，可直接安装在散热器上，并采用 62.8 x 33.8 x 15.0mm 的封装(包括安装板)。它们采用压接端子连接和分离式直流负极端子，可轻松集成到高效率的电源转换系统中。
浮思特科技专注功率器件领域，为客户提供IGBT、IPM模块等功率器件以及MCU和触控芯片，是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商。
