SemiQ的第三代1200 V硅碳化物(SIC)MOSFET QSiC 1200 V在先前设计的基础上进行了改进，具有20%更小的晶圆尺寸、更低的开关损耗和更高的效率。该MOSFET专为电动车充电、可再生能源、工业电源和电动机驱动设计，提供更好的热性能，并更容易集成到现有系统中。

　　在总开关损耗(1646 µJ)更低、爬电距离(9 mm)更长以及更加优化的门驱动电压(-4 V至+18 V)下，其在高功率应用中表现出色。

　　更小的晶圆，更好的效率

　　SemiQ在其第三代MOSFET中将晶圆尺寸缩小了20%，同时保持相同的导通电阻，增加了晶圆的良品率，而没有牺牲性能。同时，较低的反向恢复电荷(470 nC)改善了电磁兼容性(EMI)性能和开关速度，从而提升了效率。与前一代相比，第三代MOSFET的门电荷略有增加，这导致开关损耗略微上升，但其他效率提升抵消了这一点。

　　QSiC 1200V MOSFET以16mΩ、20mΩ、40mΩ和80mΩ的电阻变体提供，既有裸晶圆也有TO-247 4L离散封装。它支持的门源电压范围为-4 V至+18 V，兼容行业标准的门驱动器。门阈值电压现为3.5 V-4 V，降低了因电噪声导致意外开启的风险。这些改进使得工程师在处理现有SiC基础设计时更容易集成。

　　开关性能强劲，开启延迟为21 ns，关闭延迟为65 ns，上升时间和下降时间分别为25 ns和20 ns。结对壳体的热阻为0.26°C/W，功率耗散额定为484 W，有助于有效管理热量。

　　长期耐用性

　　SemiQ采用严格的测试流程以确保长期耐用性。通过1400 V的良品晶圆(KGD)测试、800 mJ的雪崩测试以及100%晶圆级门氧化物老化筛选，都为其可靠性提供了保障。9 mm的延长爬电距离提高了电气绝缘性，尤其是在高压环境中。

　　通过第三代模型，SemiQ瞄准了电动车充电器、太阳能逆变器、工业电源和电动机驱动等应用。较低的开关损耗意味着减少热量产生和提高效率，从而最小化对大型冷却系统的需求。快速的开关速度、较低的EMI和改进的热性能，使其成为在高功率应用中工作的工程师的强有力选择。对于工业电源和电动机驱动，快速的开关速度与高热性能的结合确保在重载下稳定运行。

　　SemiQ的第三代1200 V SiC MOSFET在效率、开关性能和可靠性方面有了显著提升。更小的晶圆尺寸、优化的门驱动和减少的开关损耗，使其成为高压电力系统的实用选择。在电动车充电、可再生能源和工业应用中，提供了效率、耐用性和易集成性的良好平衡。

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