Vishay Intertechnology, Inc. 发布了其在电源半导体技术方面的最新创新——第4.5代650V E系列电源mosfet。为了提高电信、工业和计算应用的效率和功率密度，Vishay Siliconix新推出的n-channel SiHK050N65E在性能上显著优于其前代产品。与前代器件相比，这款先进的MOSFET将导通电阻降低了48.2%，同时实现了65.4%的电阻乘以栅极电荷的降低，这是用于电源转换应用的650V MOSFET的一个关键性能指标(FOM)。

　　Vishay的全面MOSFET技术产品组合支持电源转换过程的每一个阶段，从高压输入到为先进设备供电所需的低压输出。通过SiHK050N65E和其他第4.5代650V E系列器件，公司正在满足在电源系统架构早期阶段对更高效率和功率密度的需求，特别是在功率因数校正(PFC)电路和后续的DC/DC转换模块中。主要应用领域包括服务器、边缘计算系统和超级计算机，以及不间断电源(UPS)、高强度放电(HID)灯、荧光灯镇流器、通信开关模式电源(SMPS)、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热系统、电动驱动和电池充电器。

　　基于Vishay最先进的E系列超结技术，SiHK050N65E在10V下实现了典型的导通电阻仅为0.048Ω，因此在超过6kW的应用中具备更高的功率额定值。该器件还具有额外的50V击穿电压，使其能够在200VAC到277VAC的输入电压范围内运行，同时符合开放计算项目的开放机架V3(ORV3)标准。此外，该MOSFET还具备仅为78nC的超低栅极电荷，提供了优越的FOM值3.74Ω*nC，这是最小化导通和开关损耗的关键因素，从而提高效率并节约能源。这些特性使该器件能够满足服务器电源中的严格钛效能标准，并在电源转换系统中实现高达96%的峰值效率。

　　为了优化在硬开关拓扑(如PFC电路和双开关前馈设计)中的开关性能，SiHK050N65E具备极低的有效输出电容值——Co(er)为167pF，Co(tr)为1119pF。该MOSFET在电阻乘以Co(er)的FOM上达到创纪录的低值8.0Ω*pF，最大限度地减少了开关损耗，进一步提升了系统效率。该器件封装在PowerPAK® 10×12中，并采用Kelvin连接以减少栅极噪声，同时提供了更好的dV/dt抗扰性，确保在苛刻的工作条件下的可靠性能。

　　符合RoHS标准且无卤素的SiHK050N65E经过设计能够承受雪崩模式下的过压瞬态，100%的UIS测试保证了其耐用性和可靠性。这款最新的第4.5代650V E系列产品标志着在为下一代电源转换应用提供高性能MOSFET解决方案方面迈出了重要一步。

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