SemiQ是一家领先的设计、开发和全球供应商，专注于高电压、高效率应用的先进碳化硅(SIC)解决方案。该公司近日宣布推出新系列的1200 V SiC MOSFET六合一模块。这些模块旨在支持更加紧凑且具有成本效益的大规模系统设计，以应对各行业对高功率密度、节能解决方案日益增长的需求。

　　利用强大的平面技术，这些SiC MOSFET采用耐用的栅氧化物结构，并集成了可靠的体二极管以增强性能。每个模块采用三相桥拓扑结构，配备分开的直流负极端子、压配终端连接和Kelvin源连接，确保了稳定的电气性能和高效的信号完整性。

　　这些高速开关模块提供卓越的热和电气性能，其特点是低开关损耗和最低的结到壳体热阻。每个单元经过严格测试，包括在超过1350 V的操作条件下和全面的100%晶圆级老化(WLBI)测试，以确保在苛刻操作条件下的可靠性和稳健性。

　　这些模块针对广泛的高性能应用，特别适用于交流/直流转换器、储能系统、电动汽车快充基础设施、电池充电单元、电动机驱动器、功率因数校正升压转换器、感应加热和焊接设备、可再生能源系统以及不间断电源(UPS)。这些模块设计为在高达175°C的结温下运行，并支持直接安装到散热器上，便于在热受限环境中的集成。

　　初始产品系列包括三种变体：20 mΩ(GCMX020A120B2T1P)、40 mΩ(GCMX040A120B2T1P)和80 mΩ(GCMX080A120B2T1P)，各自的功耗评级分别为263 W、160 W和103 W。每个变体能够承载连续漏电流范围为29 A至30 A*，脉冲漏电流最高可达70 A*。这些模块还提供高效的开关性能，开通开关能量范围为0.1 mJ至0.54 mJ*，关断开关能量范围为0.02 mJ至0.11 mJ*。开关时间，包括开通延迟、上升、关断延迟和下降时间，范围在56 ns至105 ns*之间。

　　这些模块立即可用，封装尺寸为62.8 mm × 33.8 mm × 15 mm，内置集成安装特性，便于快速连接散热器。

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