意法半导体(STMicroelectronics)近期发布了两款专为氮化镓(GaN)应用设计的高压半桥门驱动器——STDRIVEG610和STDRIVEG611。这两款新产品旨在为电力转换和运动控制系统提供高效、灵活的解决方案，帮助工程师在各种工业和消费应用中提升效率、功率密度和耐用性。

STDRIVEG610特别适用于要求快速启动的应用，其启动时间可低至300纳秒，非常适合LLC和ACF等变换器拓扑。这种快速启动特性确保在突发模式操作中能够实现精准的关断控制。此外，STDRIVEG611则针对硬开关运动控制环境进行了优化，配备了先进的保护功能，如高端欠压锁定(UVLO)和智能过流保护，这些特性通过智能关断机制实现，能够有效防止器件过载。

这两款门驱动器不仅支持硬切换和软切换的各种拓扑设计，还设有互锁机制，以避免可能导致的交叉导通现象。STDRIVEG610的设计目标是提升电源适配器、电池充电器和功率因数校正(PFC)电路的性能，而STDRIVEG611则优化了空间受限设计，进而增强家用电器驱动、工业伺服驱动、泵、压缩机和工厂自动化系统的效率和可靠性。

在设计集成方面，这两款驱动器均集成高端引导二极管和6V线性稳压器，分别应用于高端和低端通道。这些线性稳压器能够提供高电流且具有短延迟，延迟时间控制在10纳秒以内，确保系统的快速响应。此外，门驱动器还提供独立的下沉和源路径，分别额定为2.4A/1.2Ω和1.0A/3.7Ω，确保驱动能力的精确和有效。

在保护功能方面，STDRIVEG610和STDRIVEG611均嵌入了UVLO保护机制，能够有效防止上、下600V GaN开关在低电压操作条件下出现的安全隐患，确保系统的稳定性和安全性。此外，这两款驱动器还具有过温保护功能，并能抵御高达±200V/ns的高dV/dt瞬变，进一步增强了其可靠性。

这两款门驱动器的输入引脚支持3.3V至20V的宽电压范围，便于与多种控制集成电路的配合。同时，待机引脚的设计使得在空闲状态或突发模式操作期间实现节能。此外，隔离电源地的设计方便了Kelvin源连接或通过分流电阻进行电流监测。

为降低物料成本并最小化PCB占用面积，STDRIVEG610和STDRIVEG611采用紧凑的4mm x 5mm QFN封装，目前已有生产数量供应，起价为每千片订单1.56美元。

为了加快原型设计和验证，意法半导体还推出了EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611评估板。这些即用型平台结合了新型高效半桥驱动器与意法半导体的SGT120R65AL增强型GaN HEMTs，提供了针对基于GaN的电力应用的完整解决方案，助力工程师快速实现创新设计。

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