近日，意法半导体(STMicroelectronics)发布了两款新型氮化镓(GaN)栅极驱动器——STDRIVEG610和STDRIVEG611，专为高频和高压电力设计而打造。这两款驱动器的推出，标志着在高效能电源转换与电机控制领域的重要突破，有望进一步推动GaN技术的应用。

氮化镓(GaN)晶体管因其卓越的开关速度、效率和功率密度，越来越受到工程师的青睐。与传统的硅MOSFET相比，GaN器件能够在更高的频率下运行，从而提升整体系统性能。然而，要充分发挥GaN的优势，尤其是在高电压和高频率的应用中，需要专门设计的栅极驱动器，以确保速度、安全性和时序精度的管理。

STDRIVEG610是针对高频、低损耗转换拓扑设计的驱动器，适用于如LLC谐振转换器、主动钳位反激设计等电源应用。这款驱动器的启动时间仅为300纳秒，能够满足软开关电路对时序的严格要求。此外，STDRIVEG610集成了高侧和低侧线性稳压器，省去了外部LDO的需求，简化了PCB布局。

该驱动器支持超过1 MHz的开关频率，其匹配的传播延迟为45纳秒，显著降低了时序偏差，提高了整体系统效率。为满足节能法规，STDRIVEG610还具备待机模式，有效降低了待机功耗。同时，宽逻辑输入范围(3.3 V至20 V)使其能直接与多种控制器接口，提升了设计灵活性。

与STDRIVEG610不同，STDRIVEG611专为电机驱动和运动控制系统设计，特别适用于电气噪声和负载变化显著的环境。这款驱动器包括一系列先进保护特性，如高侧欠压锁定和过流探测器，确保在过流故障情况下能够安全关闭输出。

G611的启动时间仅为5微秒，配合分开的引流和源驱动路径，能够快速响应，从而减少开关损耗和电磁干扰，保持高效的电机控制性能。它同样支持超过1 MHz的开关频率，并具备±200 V/ns的dv/dt抗扰能力，确保在快速开关的电机控制设计中可靠运行。

为了帮助工程师快速验证这两款驱动器的性能，意法半导体还提供了现成的开发板EVLSTDRIVEG610Q和EVLSTDRIVEG611。这些开发板配备了相应的600 V GaN HEMT，帮助设计师评估开关性能和保护特性。

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