日前，全球领先的电力半导体解决方案提供商onsemi宣布与纽约州立大学东石溪校区(Stony Brook University)达成合作，计划投资800万美元建立一个宽带隙研究中心。该中心的成立旨在加速电力半导体领域的技术突破，并培养下一代专业人才，以应对未来日益增长的市场需求。这项投资是onsemi与东石溪校区及帝国州发展公司(Empire State Development)之间更大规模的2000万美元战略合作的一部分，旨在将纽约打造成电力半导体技术的创新中心。

新建的宽带隙研究中心将专注于碳化硅(SiC)及其他宽带隙材料的基础研究，探索与器件相关的技术。这些研究对提升人工智能应用和电气化进程中的能源效率至关重要。研究中心计划于2027年初全面投入运营，设施将配备最先进的实验室和仪器，专注于材料开发、器件集成及性能表征等方面。

onsemi的此项投资不仅将助力技术研发，还将推动相关产业的发展，提升美国在全球半导体市场中的竞争力。随着电动汽车、可再生能源和智能电网等领域的快速发展，对高性能电力半导体的需求也在急剧增加。建立宽带隙研究中心，正是积极响应这一市场趋势的体现。

为了支持这一研究中心的工作，纽约州立大学东石溪校区正在制定新的学术项目，包括碳化硅和宽带隙半导体的本科辅修专业及研究生硕士学位和证书课程。这些新课程将为半导体行业培养出具备深厚理论基础和实践技能的高素质专业人才，确保行业对人力资源的需求得到满足。

在当前半导体行业面临技术快速迭代和人才短缺的情况下，东石溪校区与onsemi的合作将为学生提供更多的学习和实习机会，提升他们的就业竞争力。同时，这也为半导体行业的发展注入新的活力，推动技术创新。

帝国州发展公司积极支持这一项目，作为纽约州重振国内半导体制造能力和推动劳动力发展的战略的一部分。通过与企业和学术机构的合作，该公司希望提升纽约州在全球半导体产业中的地位，确保该州在新兴技术领域的竞争力。

新研究中心将由东石溪校区材料科学与化学工程系的迈克尔·达德利教授领导，他在碳化硅晶体生长方面享有盛誉。达德利教授将与巴拉吉·拉戈萨马切尔教授和迪利普·格萨佩教授共同组成一个拥有丰富经验和专业知识的领导团队。该团队将致力于推动宽带隙材料的研究与应用，为未来的技术创新提供坚实的基础。

onsemi与纽约州立大学东石溪校区的合作标志着电力半导体领域的重要一步。这项投资不仅将加速技术创新，也将为行业培养出更多的专业人才，助力全球能源转型和可持续发展。随着宽带隙研究中心的建立，纽约州有望在全球半导体技术领域占据更加重要的地位，并为经济发展和技术进步做出更大贡献。

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