英飞凌科技公司近日宣布，正式扩展其CoolSIC™ mosfet 650 V G2产品系列，并推出全新的75 mΩ型号。这一举措旨在满足当下电子系统对高功率密度和高效率的不断增长需求，特别是在人工智能、可再生能源和电动交通等新兴应用领域。

新推出的75 mΩ器件提供了丰富的封装选择，包括TOLL、ThinTOLL 8×8、TOLT、D2PAK、TO247-3以及TO247-4。这些多样化的封装方案为设计工程师提供了更大的灵活性，使其能够根据不同的散热、空间和成本需求进行优化设计。值得关注的是，此次扩展后的系列同时覆盖了顶部冷却(TSC)与底部冷却(BSC)两种方式，从而进一步增强了应用场景的适配性。

根据英飞凌介绍，全新的MOSFET特别适合应用于高功率和中功率的开关电源(SMPS)。这些电源在多个前沿领域中具有广泛应用，例如AI服务器、可再生能源系统、电动汽车和充电桩、人形机器人充电站、电视以及工业驱动器。随着这些应用市场的快速发展，业界对于高性能功率器件的需求也在不断上升。

650 V G2系列基于第二代CoolSiC技术，相比于上一代产品在多个方面均有显著提升。其优化后的性能参数不仅带来更高的可靠性，同时也降低了使用门槛，使工程师能够更便捷地将其集成到实际系统中。与此同时，新器件在能效表现上也有突破，有助于实现整体系统的功率损耗降低与散热优化。

在封装设计方面，不同的器件形式各具优势。以TOLL和ThinTOLL 8×8为例，它们在PCB上的热循环稳定性更高，能够帮助系统设计在保持紧凑布局的同时提升可靠性。在SMPS设计中，这类封装还能有效缩小PCB面积占用，从而在系统层面实现成本节约。此外，新型ThinTOLL 8×8的引入，也为设计师在成本优化方面提供了更多可能。

值得一提的是，此次新增的TOLT封装进一步强化了英飞凌在Top Side Cooling(顶部冷却)领域的产品组合。该系列目前已覆盖CoolMOS™、CoolSiC、CoolGaN™以及Optimos™等技术。基于顶部冷却的器件能够直接散发高达95%的热量，这使得设计人员可以充分利用PCB的双面进行布局设计，既提升了空间利用率，又降低了寄生效应，为高性能系统提供了可靠的热管理保障。