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新型MOSFET器件助力电动车、工业和人工智能领域的电力需求

作者: 浮思特科技2026-01-06 16:26:56

随着电动车、工业设备和人工智能(AI)技术的发展,电力电子行业面临着越来越多的挑战。这些系统通常要求高效的能量转换、紧凑的布局以及高可靠性,尤其是在空间有限、冷却能力固定的情况下。为了应对这些挑战,Vishay Intertechnology、SemiQ、英飞凌科技和阿尔法与欧米伽半导体等公司相继推出了新一代功率半导体器件,旨在提升系统的效率、热管理和集成度。

Vishay的1200 V SIC功率模块

Vishay推出的1200 V SiC mosfet功率模块,旨在提高电力转换的效率和长期可靠性,而无需进行重大设计变更。该模块采用低剖面的MAACPAK PressFit封装,集成了多颗SiC MOSFET、快速本征二极管及板载NTC热敏电阻,采用坚固的转模结构,这不仅改善了热阻,还延长了产品的使用寿命。VS-MPY038P120和VS-MPX075P120两款模块分别适用于全桥和三相设计,具有高达175°C的结温额定,适合电动车充电器、太阳能逆变器及HVAC驱动器等多种应用。

SemiQ的第三代QSiC模块

SemiQ新推出的第三代QSiC模块系列,进一步扩展了其产品线,涵盖半桥、全桥和六合一选项,主要针对高功率工业和电动车系统。新系列中的S3半桥设备可承受高达608 A的电流,具有低至0.07 °C/W的结到壳体热阻,能够显著降低系统级的冷却需求。此外,第三代器件的工艺还减少了导通电阻和关断损耗,增强了模块在快速开关和高电压环境下的性能。

功率模块

英飞凌的CoolSiC 750 V G2系列

英飞凌在其CoolSiC 750 V G2 MOSFET系列中新增了Q-DPAK和D2PAK封装选项,这些新选项在保持器件设计不变的前提下,提供了更多的封装选择。在这些封装中,RDS(on)降至约4 mΩ,使其在汽车和工业电力阶段中更具竞争力。Q-DPAK的顶侧冷却设计大大改善了热管理,尤其是在高密度配置中,能够有效应对散热挑战。该系列器件适用于硬开关应用,如车载充电器和服务器电源,确保其在高效能环境中的稳定性。

阿尔法与欧米伽的48 V热插拔解决方案

在电力电子市场中,阿尔法与欧米伽半导体聚焦于48 V电力分配,尤其是在AI服务器领域。其AOLV66935器件专为应对高浪涌电流的热插拔需求而设计,具备宽安全工作区域和低导通电阻(最大RDS(on)约为1.86 mΩ),确保在高温环境下的可靠性。该器件采用了AlphaSGT沟槽MOSFET工艺,可以灵活处理电流尖峰,适应快速变化的电流需求。

新一代MOSFET器件的推出,为电动车、工业设备及AI领域的电力需求提供了有力支撑。通过提升能效、优化热管理和集成度,这些创新产品不仅解决了当前的设计挑战,还为未来的技术进步奠定了基础。设计人员在推动高功率设计的同时,将能够利用这些新工具实现更高效、更可靠的电力电子系统。