AOS 推出 αMOS E2 600V 超结 mosfet 的首款器件 AOTL037V60DE2，标志着 Alpha and Omega Semiconductor 在高性价比、高效率高功率密度的高压开关器件领域又迈出重要一步。这款 600V MOSFET 针对服务器、工作站、电信整流、光伏逆变、马达控制解决方案以及工业电源等场景的日益增长的高效、紧凑设计需求而设计。

现代中高功率开关模式电源(SMPS)与光伏逆变器架构对效率、功率密度、总成本及可靠性提出更高要求。因此，高压超结(SJ)MOSFET 成为托底拓扑中最受青睐的选择之一，包括托极对称的 PFC“慢边”、LLC 谐振转换、相移全桥(PSFB)以及环形整流等实现方式。

AOS 以 αMOS E2 平台打造了一款本质上更鲁棒的体二极管，能够承受硬换流事件带来的应力。这包括在异常条件如启动瞬态或短路时自由轮回二极管的反向恢复应力。

AOTL037V60DE2 器件以 TOLL 封装提供，最大 RDS(on) 为 37 mΩ。其强化的体二极管具备较低的 Qrr 特性，适用于高应力苛刻应用。内部评估显示，在特定前向电流条件下、结温 150 °C 时，该器件的体二极管能够承受高达 1300 A/µs 的 di/dt。

进一步测试还证实，该 MOSFET 维持了优越的失控性雪崩(UIS)性能，并相对于替代方案展现出更长的短路耐受时间(SCWT)。这些特性提升了系统层面的可靠性，使其在异常或高应力情形下仍能稳定运行。

从技术角度看，AOTL037V60DE2 适用于软开关拓扑，具备较低的开关损耗。该平台还提供更强鲁棒性，如出色的 UIS 能力、浪涌电流处理能力以及更广的安全工作区域(SOA)。设计要点有助于在动态条件下防止自导通。应用目标涵盖托极 PFC、LLC 谐振功率级、PSFB 系统，以及 CrCM H-4 或环形逆变器电源架构。此次推出体现了 AOS 在高压 SJ MOSFET 领域的持续投入，或将推动相关系统在效率与密度方面实现新的突破。