近日，Vishay Intertechnology 宣布推出五款新的 1200 V 硅碳化物(SIC)mosfet 功率模块，旨在提升中高频应用的电源效率。这些器件面向汽车、能源、工业与电信系统，在这些领域对更高开关性能和热管理能力的需求日益增加。

新款模块包括 VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120 及 VS-SF200SA120。全部采用 Vishay 最新一代 SiC MOSFET 技术，并封装在行业标准的 SOT-227 外壳中。该系列覆盖从 50 A 到 200 A 的连续漏极电流(ID)额定，便于设计师在同一封装格式下扩展功率等级。

每个模块集成了带软体二极管的 SiC MOSFET，具备低反向恢复特性。这种组合有助于降低开关损耗，在较高开关频率下实现更高的效率。目标应用包括太阳能逆变器、车载对外充电器、开关模式电源、DC-DC 转换器、不间断电源、暖通空调系统、大型电池储能系统以及电信电源等。

SOT-227 封装使模块能够作为现有设计中已部署竞争解决方案的直接替换件，设计师无需修改 PCB 布局即可采用更新的 SiC 技术，从而降低重新设计成本。模制封装还提供最高 2500 V 的电气绝缘，持续 1 分钟，避免在器件与散热器之间增设额外绝缘层的需要。

在电气性能方面，这些模块具备低导通电阻(RDS(ON))——最低可达 12.1 mΩ，并支持高速度开关特性、低电容。产品符合 RoHS 要求，最高结温为 +175 °C，适用于要求严格的热环境。

现货方面，五款 SiC MOSFET 功率模块现已提供样品与生产数量，典型交货期为 13 周。这一系列为需要高效率、高热承受能力和快速切换的应用提供了新的选择。