NoMIS Power 公司发布了两款中压碳化硅(SIC)mosfet：型号为 N3PT035MP330K 的器件，额定电压为 3.3 kV，具有 35 mΩ 导通电阻和 88 A 电流能力;型号为 N3PT100MP170K 的器件，额定电压为 1.7 kV，具有 100 mΩ 导通电阻和 24 A 电流能力。两款器件现均可提供 TO-247-4L 封装样品或裸芯片。未来公司还计划推出其他高电阻、小尺寸芯片的变体型号。

这款 3.3 kV 的器件旨在用于需要低开关损耗和紧凑设计的中压变流器级。而 1.7 kV 的 MOSFET 则针对约 1 kV 的直流母线应用，例如牵引辅助设备、充电子系统和工业电源。

这是该公司首款 1.7 kV SiC MOSFET 产品，突显了其向更高电压 SiC 产品扩张的规划。这一扩张得益于其下一代平面型 SiC 技术平台内优化的原胞结构，该结构实现了从 1.2 kV 向 1.7 kV 及 3.3 kV 电压等级的跨越。该平台的设计还旨在支持更高效率、更高开关频率、更高的变流器功率密度，以及在严苛环境下的长期可靠性。

两款器件均结合了低比导通电阻和比标准厚度更厚的栅氧化层，以增强耐用性。它们的工作温度高达 175°C，并支持 +18 V 和 +20 V 的栅极驱动电平，从而能与现有的栅极驱动器基础设施兼容。

该平台实现了高 dV/dt 能力，并在中压和高压开关条件下提供了效率和耐用性之间的平衡折衷。关键品质因数包括低 Ron·Coss 和低 Ron·Crss 值，对于 1.7 kV 器件，还具有低 Ron·Ciss 值。

目标应用包括：公用事业规模的电池储能系统、可再生能源转换器、高压直流(HVDC)接口、固态变压器、直流固态断路器、航空航天与国防电源系统、铁路及重型运输电气化、船舶推进以及中压工业驱动器。公司还提供设计导入支持，包括协助从传统的基于 IGBT 的平台进行迁移。