Navitas半导体公司近日为其1200V GeneSIC™碳化硅mosfet产品线推出了两种新封装选项：一种是自上而下冷却的QDPAK封装，另一种是低高度的TO-247-4L插孔变体。两种封装均基于公司第五代槽沟助力平面SiC MOSFET技术，旨在满足高功率应用需求，包括人工智能数据中心电源系统、电网基础设施和工业电气化。

最新的GeneSiC器件在开关性能和可靠性方面有所提升。根据公司介绍，该技术在RDS(on)× QGD性能指标上实现了约35%的改进，同时QGD/QGS比率也提高了大约25%，相较于之前的产品。器件的阈值电压超过3V，旨在减少对寄生开启的敏感性，并支持在高功率转换器中的稳定开关行为。

QDPAK表面贴装封装具有自上而下的冷却结构，能够将热量直接传导至安装在器件上方的散热片。这一设计相较于传统的基于PCB的冷却方式，降低了热阻，有助于实现更高的功率密度或更小的系统占地面积。该封装还减少了寄生电感，使得在更高频率下实现更快的开关速度和更高的效率成为可能。

QDPAK格式的占地面积约为15mm × 21mm，高度为2.3mm，适用于紧凑型电源转换器设计，并支持自动化的大规模组装。该封装结构包含一个模制凹槽，能够将爬电距离增加到约5mm，而不会减少上方热垫的面积。用于该封装的环氧模塑材料的比较跟踪指数(CTI)超过600，支持高达约1000 VRMS的应用。

第二种封装选项是低高度的TO-247-4L插孔设计，采用不对称引脚。这一配置相比传统的TO-247-4封装，降低了PCB上方的垂直高度，使得在垂直空间有限的系统中(例如在AI数据中心中密集布置的服务器电源架)实现更高的功率密度成为可能。

不对称引脚配置采用较细的栅极和Kelvin源引脚，以改善PCB制造过程中的组装公差。该封装适用于需要高电流能力和在紧凑设计中改善机械集成的电力电子系统。