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行业资讯瑞萨电子株式会社发布了业界首款650V级双向氮化镓开关器件TP65B110HRU，该产品专为简化光伏微型逆变器、人工智能数据中心、车载充电机等应用的功率转换而设计。
该器件基于耗尽型氮化镓技术，能够在单个元件内实现正负双向电流阻断功能，无需采用传统硅或碳化硅设计中通常所需的背对背开关配置。这种创新设计可实现单级功率转换架构，有效减少元件数量、提升转换效率并简化系统设计。
在光伏微型逆变器等应用场景中，新技术方案可将开关器件数量减半，并省去中间直流母线电容。实测数据显示系统效率突破97.5%，这得益于氮化镓器件具备的高速开关特性、低电荷存储能力以及更高的工作频率优势，同时还能提升功率密度。
TP65B110HRU采用高压双向氮化镓芯片与两颗低压硅基mosfet合封的架构。该配置支持标准栅极驱动器，无需负压偏置，既简化了栅极驱动设计又降低了系统成本。该器件在软开关和硬开关拓扑(包括维也纳整流器等严苛设计)中均表现出稳健性能，其dv/dt耐受能力超过100 V/ns。
关键参数方面，该器件支持±650 V连续工作电压、±800 V瞬态耐压，典型导通电阻为110 mΩ，栅极耐压高达±20 V。产品采用顶部散热的TOLT封装，引脚排布符合行业标准，可实现高效的热管理。
瑞萨电子株式会社将在2026年应用电力电子会议上重点展示这款双向氮化镓开关及其完整的功率器件产品组合。
