意法半导体(STMicroelectronics)推出了两款专为增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)设计的高速半桥栅极驱动器，主要面向运动控制和电源转换应用。新器件型号为STDRIVEG212和STDRIVEG612，分别支持高达220V和600V的高侧电压，可在多种功率系统中实现高效运行。

两款驱动器均提供严格稳压的5V栅极驱动信号，并集成了关键组件，包括高侧和低侧低压差线性稳压器(LDO)、自举二极管以及欠压锁定(UVLO)等保护功能。这些功能集成在紧凑的QFN封装内，以简化系统设计并减少外部元件需求。

集成的快速启动稳压器可稳定驱动器供电，确保运行期间栅极控制的一致性。保护功能包括一个内置比较器，在发生过流时关断两个GaN开关，以及一个SmartSD关断机制，该机制会使器件保持关断状态，直到热状态恢复正常。故障引脚提供过流、过热和UVLO事件的状态反馈。

该驱动器针对高速开关进行了优化，传播延迟约为50ns，高侧与低侧通道之间的时序匹配度很高。高侧启动时间为5µs，瞬态抗扰度为±200V/ns，可在快速开关环境(包括高速电机控制)中实现可靠运行。

集成的LDO具有高电流能力，并采用独立的灌电流和拉电流路径以优化开关行为。设计人员可以独立调节导通和关断阻抗，从而更好地控制开关瞬态，同时减少对关断二极管等额外元件的需求。这有助于降低物料成本并减少寄生效应。

器件支持20V耐压逻辑输入并配有专用关断引脚，可实现灵活的系统集成，并在空闲状态下实现节能运行。意法半导体还提供了EVLSTDRIVEG212评估板用于开发。两款驱动器均符合-40°C至125°C的工业温度范围工作标准。