罗姆宣布开发出作为EcoSIC产品组合一部分的第五代碳化硅(SiC)mosfet，旨在为汽车、工业及数据中心应用提供高效能电力转换。新器件专为满足电动汽车牵引逆变器、AI服务器电源以及大功率工业设备等系统日益提升的性能需求而设计。

生成式AI和大规模数据处理需求的增长正推动数据中心走向更高功率密度，这给能源基础设施带来了更大压力。与此同时，汽车电动化趋势要求更高的逆变器效率及更快的充电速度。这些因素正加速宽禁带半导体(如SiC)的采用——相较于硅基器件，SiC具有更低的损耗和更高的效率。

第五代SiC MOSFET采用了结构和工艺优化，显著提升了高温下的性能。具体而言，在相同电压等级和芯片尺寸条件下，该器件在结温175°C时的导通电阻比前代第四代产品降低了约30%。这种导通损耗的降低有助于提高系统效率，并在热要求严苛的环境中实现更紧凑的设计或更大的功率输出。

这一性能改进对电动汽车牵引逆变器等应用尤为重要——这些应用中的组件在高温及高负载条件下工作。高温下更低的导通电阻可直接降低能量损耗，并在系统层面改善热管理。

罗姆是SiC器件开发的先驱企业，早在2010年就已实现SiC MOSFET的量产。其前代第四代产品已广泛应用于汽车和工业市场，并得到了符合汽车可靠性标准的丰富分立元件及功率模块产品组合的有力支持。

该公司于2025年开始支持基于第五代技术的裸芯片解决方案，并于2026年初完成开发。采用新型SiC MOSFET的分立器件及模块样品计划于2026年7月起开始供应。

罗姆计划进一步扩展第五代产品线，增加更多电压等级和封装选项，并持续推进设计工具及应用支持的发展。目标应用包括xEV牵引系统、车载充电器、DC-DC转换器、AI服务器电源、光伏逆变器及储能系统。