Nexperia扩展了其工业级650V氮化镓(GaN)功率晶体管产品组合，新增了不同RDS(on)阻值版本和封装选项，以满足现代功率转换系统日益增长的性能要求。该扩展系列专为AI数据中心电源、电信基础设施、可再生能源系统、电池储能系统(BESS)、工业电机驱动和工厂自动化设备等应用而设计。

该产品组合现包含导通电阻值为35 mΩ、50 mΩ和70 mΩ的器件，并提供行业标准的TOLL、TOLT、TO-247-3和TO-247-4封装。通过提供多种电气和机械特性组合，Nexperia使设计人员能够优化效率、热性能和功率密度，以满足特定应用需求。

随着AI计算平台、工业电气化和可再生能源设施对更高功率水平和更紧凑系统架构的需求日益增加，对更高效率功率转换的需求持续增长。例如，在AI基础设施中，机架电源正从低于3 kW向5 kW至10 kW以上的功率水平演进。这些趋势正在加速宽禁带半导体技术的采用，该技术相较于传统硅器件具有性能优势。

新款GaN FET充分利用了氮化镓技术的固有优势，包括更快的开关速度和更低的开关损耗。这些特性允许在更高开关频率下工作，从而减小磁性元件和无源元件的尺寸，同时提高整体功率密度。其结果是功率系统更加紧凑，效率得以提升，且热管理要求得以简化。

据Nexperia称，在10–12 kW AI服务器电源中使用的高功率LLC转换级，与基于硅的替代方案相比，在满载条件下可实现约0.8%-1.2%的效率提升。此外，通过更高频率的运行和无源元件尺寸的减小，级功率密度可提高约40%至70%。对于工业电机驱动应用，基于GaN的逆变器设计可降低约20%至25%的功率损耗，从而提高效率并实现更小的散热解决方案。

这些器件基于Nexperia的GaN技术平台构建，将低开关损耗、可控的动态性能和稳健的热特性与熟悉的行业标准封装格式相结合。35 mΩ和70 mΩ版本现已上市，50 mΩ版本计划于2026年第三季度发布。