东芝电子欧洲公司扩展了其N沟道功率mosfet产品组合，新增了九款专为工业设备内部电源线路设计的器件。该产品系列包括三款用于48V系统的100V元件和六款用于24V系统的60V元件，每款均提供三种小型表面贴装封装可供选择。

此次新品发布面向正在设计可编程逻辑控制器、逆变器、伺服电机、服务器以及更小型设备的工程师。

封装在尺寸与电压需求间取得平衡

这些产品反映了工业设备配电方式的一种稳定变化。过去依赖12V和24V总线的设备正越来越多地转向48V，以降低电流，进而减少线路上的电阻损耗。

更高的总线电压降低了传输给定功率所需的电流，从而减少了在连接器、导线和开关器件中累积的I²R发热。正如东芝所指出的，电源电压的升高同时要求更高的效率、更低的损耗和更小的封装尺寸——而在实际设计中，这些要求往往相互制约。

更小的封装散热能力较差，因此缩小尺寸通常意味着要接受更高的工作温度或更高的导通电阻。在保持紧凑体型的同时降低导通电阻，能够让设计人员在不牺牲效率的前提下恢复电路板空间，而这正是东芝试图在所有九款器件中达成的平衡。

为何48V线路需要100V硅器件

48V总线并不会稳定地保持在48V。浪涌电流和负载瞬变会使线路电压远高于其标称值。东芝指出，浪涌可能将48V线路推高至50V至80V之间。在这样的总线上使用60V MOSFET，一旦考虑到这些电压波动，余量就会变得非常有限。

为解决此问题，东芝为48V系统指定了额定电压为100V的器件。三款100V元件的漏源导通电阻为198毫欧，漏极电流额定值为2A，为设计人员提供了应对浪涌事件的裕量，且无需使用物理尺寸更大的封装。

六款60V器件则服务于在工厂自动化和电器设备中依然常见的24V系统。它们分为两个等级：一组为较高电流型，导通电阻为99毫欧，适用于较重负载;另一组为辅助型，导通电阻为200毫欧，适用于较轻的开关任务。

在两个电压等级中，东芝的重点都是在封装缩小的同时保持低导通电阻，因为导通电阻是直接决定器件在导通状态下以热量形式浪费多少能量的关键参数。

三种封装，九款器件

东芝并未提供单一的封装尺寸，而是为每种电气规格提供了三种封装样式，以便工程师根据具体设计中最紧迫的约束条件来选择最合适的器件。

SOT-23F是通用型选择，尺寸为2.9mm x 2.4mm，功耗为1W，适用于优先考虑布局便利性的设计。

TSOP6F尺寸为2.9mm x 2.8mm，将功耗提升至1.5W，是三款中最高，适用于需要从器件散出更多热量的应用。

UDFN6B是节省空间的选择，尺寸仅为2.0mm x 2.0mm，功耗为1.25W，适用于小型化优先的布局。

这九个产品编号与上述规格对应清晰。100V系列包括SSM3K387R、SSM6K387R和SSM6K387NU。99毫欧的60V系列包括SSM3K388R、SSM6K388R和SSM6K388NU，而200毫欧的60V系列则包含SSM3K389R、SSM6K389R和SSM6K389NU。

每种情况下，SSM3K前缀表示SOT-23F封装，带R后缀的SSM6K表示TSOP6F封装，NU后缀表示UDFN6B封装。尽管尺寸紧凑，东芝表示所有三种封装类型都能保持足够低的导通电阻，从而有效降低终端设备的功耗。

供货情况

这九款器件现已通过分销渠道供货，Farnell及其他渠道已开通实时订购。东芝将此次发布定位为更广泛战略的一部分，旨在进一步扩展其面向工业领域高效、小型化电源设计的N沟道MOSFET产品系列——在这一领域，向48V架构迁移的趋势丝毫没有放缓的迹象。