东芝电子欧洲公司扩展了其N沟道功率mosfet产品组合，新增九款器件，主要面向工业设备内部的电源线路。该系列包括三款适用于48V系统的100V器件和六款适用于24V系统的60V器件，每款均提供三种小型表面贴装封装选项。

此次发布面向可编程逻辑控制器、逆变器、伺服电机、服务器以及小型设备的设计工程师。

封装兼顾尺寸与电压需求

这些产品反映了工业设备配电方式的持续变化。曾经使用12V和24V轨供电的设备正越来越多地转向48V，以降低电流，进而减少线路上的电阻损耗。

更高的母线电压降低了传输相同功率所需的电流，从而减少了连接器、走线和开关器件中累积的I²R发热。正如东芝所言，供电电压的提高同时对效率、损耗和封装尺寸提出了更高要求——而在实际设计中，这些需求往往相互制约。

更小的封装散热能力较差，因此缩小尺寸通常意味着接受更高的器件温度或更高的导通电阻。在保持紧凑尺寸的同时降低导通电阻，使得设计人员能够在不牺牲效率的前提下节省电路板空间——这正是东芝在这全部九款器件中力求达成的平衡。

为何48V线路需要100V硅器件

48V母线并不会稳定地保持在48V。浪涌电流和负载瞬变会将线路电压推高至远高于标称值的水平。东芝指出，浪涌可能将48V线路驱动至50V到80V之间。在这种线路上使用60V MOSFET，一旦考虑这些波动，余量就所剩无几。

为解决这一问题，东芝为48V系统指定了100V额定电压的器件。三款100V器件的漏源导通电阻为198毫欧，漏极电流额定值为2A，为设计人员提供了应对浪涌事件的裕量，同时无需采用物理尺寸更大的封装。

六款60V器件则服务于在工厂自动化和家电领域仍然普遍存在的24V系统。它们分为两个档次：一个为较重负载设计的大电流组，导通电阻为99毫欧;另一个为较轻开关任务设计的辅助组，导通电阻为200毫欧。

在这两个电压等级中，东芝的重点都是在封装缩小的同时保持较低的导通电阻，因为导通电阻是直接决定器件在导通期间以热量形式浪费多少能量的关键指标。

三种封装，九款器件

东芝并未只提供单一封装尺寸，而是为每种电气规格提供三种封装样式，以便工程师根据具体设计中最紧迫的约束条件选择合适的器件。

SOT-23F是通用型选项，尺寸为2.9mm×2.4mm，功耗为1W，适用于优先考虑布局便利性的设计。

TSOP6F尺寸为2.9mm×2.8mm，功耗提升至1.5W，是三款中最高，适用于需要从器件中散出更多热量的应用。

UDFN6B是节省空间的选择，尺寸为2.0mm×2.0mm，功耗为1.25W，适用于以小型化为优先考虑的布局。

九个产品编号与此一一对应。100V系列包括SSM3K387R、SSM6K387R和SSM6K387NU。99毫欧60V系列涵盖SSM3K388R、SSM6K388R和SSM6K388NU，而200毫欧60V系列则由SSM3K389R、SSM6K389R和SSM6K389NU组成。

在每个系列中，SSM3K前缀代表SOT-23F封装，SSM6K加R后缀代表TSOP6F封装，NU后缀代表UDFN6B封装。尽管尺寸紧凑，东芝表示这三种封装类型均能将导通电阻保持在足够低的水平，从而有效降低最终设备的功耗。