ST意法半导体扩展STGAP3S隔离式栅极驱动器产品家族

意法半导体(STMicroelectronics)已扩展其STGAP3S系列电隔离式栅极驱动器，推出全新3 A系列产品，专为需要较低栅极驱动电流的应用而设计。新器件补充了现有的6 A和10 A型号，为高压功率转换系统中驱动碳化硅(SIC)mosfet和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)提供了高性价比的解决方案。

新产品组合包括针对SiC MOSFET优化的STGAP3S3S，以及面向IGBT应用的STGAP3S3IF。两款器件均支持母线电压高达1200 V的功率级，适用于功率因数校正(PFC)电路、DC-DC转换器、逆变器和开关电源。目标应用包括电动汽车充电桩、储能系统、光伏逆变器、工业车辆、感应加热设备和电机驱动器。

与STGAP3S家族其他成员一样，新驱动器具有经过UL 1577和IEC 60747-17标准认证的增强型电隔离。隔离屏障可承受高达9.6 kV的瞬态电压，并提供高达200 V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI)，确保在电气噪声环境中可靠运行。

3 A系列的一项关键增强特性是集成了完整的主动式密勒钳位，包括钳位MOSFET。该功能可防止高速开关过程中因密勒电容引起的功率开关意外导通，降低直通电流风险。通过在器件内部集成钳位晶体管，ST省去了外部元件需求，减少了PCB面积，简化了电路实现，并降低了物料成本。相比之下，电流较大的6 A和10 A器件保留了支持外部MOSFET的预驱动器架构，使设计人员能够针对更高的栅极驱动电流优化钳位性能。

整个STGAP3S系列均集成带软关断的退饱和检测功能，在过载和短路事件中保护功率开关。器件还提供用于退饱和保护、欠压锁定(UVLO)和热关断的诊断输出，同时支持负栅极电压，以提高开关鲁棒性并进一步降低误触发的风险。

为支持开发工作，意法半导体为新驱动器提供专用的半桥评估板。EVLSTGAP3S3S和EVLSTGAP3S3IF评估板包含预配置的保护电路、诊断LED指示灯和测量点，以简化性能评估。完整的STGAP3S产品家族(包括新的3 A器件)现已采用SO16W宽体封装投入生产。