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HITACHI(日立)-IPM

IGBT Module

MBN1200D33A

MBN1200D33A是日立生产的一款高效能IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 模块,专为需要高电压和大电流控制的应用设计。这款模块采用了尖端的IGBT技术,以提供优异的功率密度、高效率和出色的可靠性。
IGBT Module
产品详情

  产品名称:MBN1200D33A IGBT模块

  生产厂家:日立

  产品概述: MBN1200D33A是日立生产的一款高效能IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 模块,专为需要高电压和大电流控制的应用设计。这款模块采用了尖端的IGBT技术,以提供优异的功率密度、高效率和出色的可靠性。IGBT模块是现代电力电子应用中不可或缺的组件,特别是在可再生能源、电动车以及高速列车驱动系统中。

  主要特性:

  额定电压: 高达1200V,使其适用于高电压电力系统。

  额定电流: 33A,能够处理较大的电流,满足功率密集型应用的需求。

  低开关损耗: 设计采用最新技术降低开关时的能量损耗,提高整体效率。

  高效率: 凭借优化的开关特性,保障了系统运行的高效性。

  可靠性: 经过严格测试,确保在各种环境下的稳定性和长期可靠性。

  封装: 坚固的封装设计,适合于苛刻环境下使用。

  应用领域:

  可再生能源系统,如风力和太阳能发电系统

  电动汽车(EV)及充电站

  高速铁路驱动系统

  工业电机控制

  电力传输与分配系统

  优势总结: MBN1200D33A IGBT模块结合了高电压和大电流处理能力,加之低开关损耗和高效率的特性,使其成为电力电子设计工程师在高性能应用中的理想选择。无论是在可再生能源领域、电动汽车技术,还是更广泛的工业电机控制和电力系统中,MBN1200D33A都能提供可靠的功率控制解决方案。