深圳市浮思特科技有限公司
新闻资讯
3至8千瓦的功率密度足以供应机架——即容纳服务器和路由器硬件的金属结构——机架功率密度很少超过每机架10-15千瓦。
电力电子行业目前正在经历一场从硅到氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体的大规模转变。
从制造角度看，向300毫米的转变将改变衬底供应和芯片制造的单位经济性。更大的晶圆在理论上每片晶圆可产生的芯片数量更多，并且在设备组合能够支持这一规格时，可以提高设备利用率。
而单片机(MCU)正是实现步进电机控制的核心控制单元。本文将从工作原理、控制方式以及实现步骤等方面，系统介绍单片机控制步进电机的方法。
随着电力电子技术的快速发展，IGBT 模块(Insulated Gate Bipolar Transistor)已成为中高功率变换领域的核心器件之一。凭借其兼具 MOSFET 易驱动性与双极型晶体管大...
在同等功率水平下(P=IV)，电压提升四倍，相应电流减少至四分之一——这使得I²R损耗大幅降低。更高电压还允许使用更细规格的电线，节省宝贵的重量和原材料。
近日，Vishay Intertechnology 宣布推出五款新的 1200 V 硅碳化物(SiC)MOSFET 功率模块，旨在提升中高频应用的电源效率。
在开关电源、工业控制、新能源汽车、充电桩、逆变器等应用中，功率 MOSFET 是最核心的功率器件之一。选型是否合理，直接影响系统的效率、可靠性以及成本。本文将围
本文将围绕常用 32 位单片机类型、技术特点、应用场景及选型要点进行系统介绍，并结合实际应用，介绍 ABOV(现代)32 位单片机解决方案。
随着新能源、电动汽车、工业电源及储能系统的快速发展，功率器件正面临着更高电压、更大功率、更高效率与更高可靠性的综合挑战。
官方数据揭示，2025年中国集成电路产量达到4843亿块，出口增长为17.4%。
电源模块在电子系统中提供最关键的功能之一，其行为直接影响系统在不同运行模式下的表现——包括上电、掉电、稳态运行以及故障发生时。
从铜线回路向以太网过程总线的转变，结合普遍部署的传感和边缘分析技术，使得保护和自动化方案能够在毫秒级内做出反应，同时持续评估设备健康状况和电能质量。
超级电容器是一种独特的无源器件，其众多性能指标介于电容器和电池之间。这些器件特性催生了许多新颖的电路设计，其应用领域从电源转换器、瞬态浪涌抑制器到热水器，不一而足
AOS 推出 αMOS E2 600V 超结 MOSFET 的首款器件 AOTL037V60DE2，标志着 Alpha and Omega Semiconductor 在高性价比、高效率高功率密度的高...
随着新能源汽车、光伏逆变、充电桩以及高端工业电源的快速发展，功率电子系统正不断向高效率、高功率密度、高可靠性方向演进。在这一背景下，传统硅基功率器件逐渐逼近性能
在电力电子与工业测控领域中，“电压传感器”和“电压互感器”常常被同时提及，尤其是在电压采样、隔离测量等应用场景下，二者在功能上存在一定相似性，但在原理、性能和应用层面却有着本质区别。
氮化镓(GaN)是一种宽带隙(WBG)半导体材料，具有优异的电子迁移率、高电流密度和高击穿电压。这些特性使其能够开发出高效、高输出功率的器件，应用范围涵盖消费电
新闻资讯