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功率二极管和MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是两种常用的功率器件。它们各自具有特定的优势和用途,但在并联使用时,哪一种更为适合?
根据美国半导体行业协会(SIA)发布的最新数据,2025年5月全球半导体销售额达到590亿美元,较2024年5月的492亿美元增长了19.8%。
IPM(Intelligent Power Module)是集成功率开关器件和驱动电路的先进模块,广泛应用于变频器、伺服驱动、UPS等电力电子设备中。
在现代焊机设计中,功率半导体器件的选择至关重要,它直接影响焊机的性能、效率和可靠性。IGBT(绝缘栅双极晶体管)单管和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是两种常见的功率开关器件,各有特点。
随着科技的不断发展,单片机在各个领域的应用逐渐普及,尤其是8位单片机,因其独特的性能和优势,成为了嵌入式系统设计中不可或缺的一部分。本文将详细介绍8位单片机的技术特点及其广泛应用
近日,台积电(TSMC)宣布计划于今年晚些时候在德国慕尼黑设立其在欧洲的首个芯片设计中心。这一举措标志着台积电在全球扩展其设计能力,加强与欧洲市场的联系。预计该设计中心将在今年第三季度投入运营
在工业自动化、新能源、智能电网等领域,电流传感器作为关键测量元件,其精度和可靠性直接影响整个系统的性能。随着国内技术的快速发展,国产电流传感器品牌在性能、价格和服务方面已具备与国际品牌竞争的实力。
在现代电子设备中,触摸芯片作为关键组件,广泛应用于智能手机、平板电脑、家用电器等设备。触摸芯片的封装类型直接影响其性能、散热性和适配性
在现代电子设备中,IPM(智能功率模块)被广泛应用于电源管理和驱动系统中。由于其在电力转换和控制方面的重要性,确保IPM模块的正常运行至关重要。
近日,深圳市发展和改革委员会宣布设立总规模达50亿元的“赛米产业私募基金”,旨在通过“政策+资本”的方式支持半导体与集成电路产业的全链条优化和升级。
碳化硅(SiC)功率器件因其优异的物理特性,如高击穿场强、高热导率和高电子饱和漂移速度,已成为新一代功率电子器件的理想选择。
电流传感器在电力监测、控制和电机驱动等领域的应用日益广泛。LEM(莱姆)是一家专注于电流和电压测量解决方案的公司,其闭环电流传感器凭借高精度、高速响应和极低的漂移特性,在市场上得到了广泛应用。
快恢复二极管(FRD)和碳化硅(SiC)二极管作为两种重要的功率半导体器件,正在推动着能源转换效率的持续提升。随着新能源发电、电动汽车和工业自动化等领域的快速发展,对高效、可靠的二极管需求日益增长。
近日,全球半导体制造巨头台积电(TSMC)宣布将逐步退出氮化镓(GaN)晶圆代工业务,预计在未来两年内完成这一过渡。这一决定引起了行业的广泛关注
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为现代电力电子系统的核心器件,其损耗计算对于系统效率评估和热设计至关重要。本文将详细分析IGBT的损耗构成
告别传统8/16位MCU的算力桎梏,32位单片机凭借强劲的Arm Cortex-M系列内核(如高效M0+、高性能M33),轻松驾驭复杂任务:
在现代科技迅猛发展的背景下,感应触控技术逐渐成为各类电子设备的标配。从智能手机到家用电器,感应触控芯片的应用无处不在。
随着全球对氮化镓(GaN)半导体需求的快速增长,英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)正在积极布局,以巩固其在GaN市场的领先地位。