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在电动汽车、可再生能源发电、车对车通信以及储能等电力应用中,双向开关特别有用。这些开关能够高效地控制双向能量流动,确保在各种工作条件下的可靠和安全运行。
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是两种在各种功率电子应用中最成功的宽禁带材料。它们较高的禁带宽度使其在关键电场方面相比硅(Si)提高了10倍以上。
电动汽车的性能、可靠性和安全性仍有改进的空间,汽车行业依然在积极追求这些改进。虽然电池和电机技术备受关注,但牵引逆变器的创新也同样重要。
据中国日报报道,中国政府计划投入约60亿元用于全固态电池的研发工作,旨在推动电池技术的创新和产业升级,为新能源汽车的未来发展奠定坚实基础。
集成电路(IC)已经彻底改变了数字电子学,这些IC在促进数字电子学的发展方面做出了重大贡献,提供了一系列逻辑功能和专用电路,分为不同的逻辑家族。
随着设计工程师认识到FPGA能够减少元件数量、节省电路板空间并降低电路板布局复杂性的价值,FPGA市场迅速增长。
这今天篇文章中,我们将深入研究如何通过单片机(MCU)实现逻辑门系统。这一项目代表了学习过程中的一个具体且引人入胜的步骤,不仅提供了实践之前所学理论知识的机会
SiC MOSFET在开关状态下工作,然而,了解其在某些情况下(如驱动器故障或设计师编程的特定目的)线性工作区的行为也是很有用的,今天我们就来聊聊电源设计之线性工作区中的SiC MOSFET。
为了应对应用需求和独特客户要求的不断提升,英飞凌科技股份公司决定将SiC MOSFET的开发扩展到650V以下的电压范围。
UPS是“Uninterruptible Power Supply”的首字母缩写,也就是不间断电源装置,指的是电力供应网络与需要保护的设备之间的连接设备
MOSFET晶体管能够处理大电压和电流,正是由于这一特点,它被广泛追求连接到电路或微控制器重载,本文将从实践的角度分析如何构建简单的MOSFET开关
在这篇电力电子教程中,我们将研究一种工作温度显著高于环境温度的碳化硅(SiC)整流器的行为。当我们设想一个电路时,可以将其比作一个必须在“高温环境”中工作的电机牵引系统。
高频整流模块是一种重要的电子元器件,广泛应用于各类电子设备中,也是属于功率器件的一种,这篇文章浮思特将深入解析高频整流模块的原理
近日,中国国家集成电路产业投资三期股份有限公司(简称“国家大基金三期”)正式成立,标志着中国半导体产业发展进入新的里程碑。
LED照明技术因其高能效和精细的亮度调控而受到青睐。这些系统提供了调光功能,让用户能够根据个人喜好调节光线亮度,同时减少能源消耗。今天浮思特介绍一种基于8位MCU的开关模式可调光LED驱动器解决方案。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)和晶闸管(SCR)在现代工业控制和电力电子领域,是两种常用的半导体开关元件,它们各自承载着不同的电力调控任务
MOSFET在切换过程中会产生损耗,这些损耗不仅影响了系统的效率,还会导致器件过热,甚至损坏。因此,降低MOSFET的开关损耗是提高整体系统效率和可靠性的关键。
您可以通过改善热传导和散热或减少开关损耗来应对这些挑战。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 都是 WBG 技术,已成为传统硅 (Si) 半导体的可行替代品。