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高频整流模块是一种重要的电子元器件，广泛应用于各类电子设备中，也是属于功率器件的一种，这篇文章浮思特将深入解析高频整流模块的原理
近日，中国国家集成电路产业投资三期股份有限公司(简称“国家大基金三期”)正式成立，标志着中国半导体产业发展进入新的里程碑。
LED照明技术因其高能效和精细的亮度调控而受到青睐。这些系统提供了调光功能，让用户能够根据个人喜好调节光线亮度，同时减少能源消耗。今天浮思特介绍一种基于8位MCU的开关模式可调光LED驱动器解决方案。
绝缘栅双极晶体管(IGBT)和晶闸管(SCR)在现代工业控制和电力电子领域，是两种常用的半导体开关元件，它们各自承载着不同的电力调控任务
MOSFET在切换过程中会产生损耗，这些损耗不仅影响了系统的效率，还会导致器件过热，甚至损坏。因此，降低MOSFET的开关损耗是提高整体系统效率和可靠性的关键。
您可以通过改善热传导和散热或减少开关损耗来应对这些挑战。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 都是 WBG 技术，已成为传统硅 (Si) 半导体的可行替代品。
通常，人们会忽视栅极驱动器在优化功率晶体管整体运行方面的作用，就好像 SiC MOSFET 或 GaN HEMT 是独立元件一样。
该计划标志着陕西省在新能源汽车、光伏、智能电网、储能、轨道交通、5G通信和国防军工等关键领域将进一步强化其技术优势，并借助这些优势推动第三代半导体技术的创新与应用。
现代电子应用需要高开关频率才能实现相应的高效率，功率 MOSFET 是高功率应用中的重要组件，它们提供相对较低的栅极电荷，非常适合中高功率用例。
SiC 是一种宽带隙 (WBG) 材料，用作半导体材料时比硅具有多种优势(例如，带隙宽度是硅的 3 倍，击穿电场强度是硅的 10 倍)。与更传统的 Si 或 IGBT 相比，使用 SiC 功率 MOS...
同步整流技术在提升电源转换效率方面发挥着越来越重要的作用，它通过替换传统的整流二极管来减少功率损耗，尤其是在低压高电流输出的应用中效果显著。
在高压直流输电、大功率电机驱动以及可再生能源系统中，600V功率模块的需求日益增长。这种功率模块因其高效能、高可靠性和广泛的应用范围而受到市场的青睐。
霍尔器件在现代电子技术中起着至关重要的作用。无论是汽车、家电、工业控制，甚至是智能手机，霍尔器件的身影无处不在
高频整流模块是一种非常重要的设备，它在各类电力转换和电源管理系统中扮演着关键角色。本文将深入探讨高频整流模块的主要作用，并帮助您更好地理解其在不同应用中的重要性。
随着新一代产品变得更加复杂和功能丰富，到 2030 年，家用电器在半导体方面的支出将达到 38 亿美元。增长最快的领域将是功率半导体，包括用于电子电机控制的智能功率模块 (IPM)
ASD是原子层沉积的延伸，旨在从底层构建电路特征，而如何绕过光刻技术制造芯片。
英飞凌已发布其第二代 CoolSiC MOSFET 器件，电压等级为 650 V、1200 V 和 3300 V，面向电动汽车充电、工业太阳能逆变器、伺服驱动器、UPS 和铁路牵引等高压工业应用。
今天，我们荣幸地向大家介绍浮思特最新推出的MPRA1C65-S61碳化硅(SiC)模块，这款模块凭借其卓越的碳化硅半导体技术
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