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POWER MASTER-SIC

PCZ120N40M1

PCZ120N40M1是一款高性能的硅碳化物(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),专为现代电力电子系统的高效率、高功率密度和优异热性能需求而精心打造。
产品详情

  产品名称:PCZ120N40M1 

分类:SIC mosfet

  产品简介:

  POWERMASTER的PCZ120N40M1是一款高性能的硅碳化物(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),专为现代电力电子系统的高效率、高功率密度和优异热性能需求而精心打造。这款SiC MOSFET以其卓越的电气特性,成为推动能源转换技术向前发展的关键组件。

  产品亮点:

  1. 高压耐受:PCZ120N40M1具备高达1200V的耐压能力,为高压电力应用提供了坚实的基础。

  2. 高电流承载:拥有40A的持续漏电流(ID),适合处理大功率负载。

  3. 低导通损耗:极低的导通电阻(RDS(on))确保了在导通状态下的低功耗,有助于提高系统效率。

  4. 快速开关:SiC材料的固有优势使得该MOSFET能够实现快速开关,减少了开关过程中的能量损耗。

  5. 高温操作:出色的热稳定性使得PCZ120N40M1能够在高温环境下稳定运行,适合苛刻的工作条件。

  应用场景:

  PCZ120N40M1 SiC MOSFET适用于多种高性能电力电子应用,包括但不限于:

  - 高效能电源供应和转换系统

  - 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的充电和动力系统

  - 工业电机驱动和变频器

  - 高频开关电源和DC-DC转换器

  技术参数:

  - 最大漏源电压(VDS):1200V

  - 持续漏电流(ID):40A

  - 导通电阻(RDS(on)):极低

  - 总栅极电荷(Qg):优化值

  - 封装类型:TO-247-4L

  POWERMASTER的PCZ120N40M1 SiC MOSFET以其高效的能源转换能力、快速开关特性和卓越的热性能,为高压电力电子设备提供了理想的半导体解决方案。这款产品的出现,代表了SiC MOSFET技术在性能和可靠性方面的新标杆,为电力电子工程师提供了强大的工具,以实现更高效、更紧凑和更可靠的电力系统设计。