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SemiHow-MOS

SiC MOSFET

HPJ120C080R

HPJ120C080R,专为高电压、高功率密度应用而设计。这款MOSFET融合了SemiHow在SiC技术领域的最新研究成果,以其卓越的性能和可靠性,为电力电子行业树立了新的标杆。
SiC MOSFET
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  HPJ120C080R,专为高电压、高功率密度应用而设计。这款mosfet融合了SemiHow在SIC技术领域的最新研究成果,以其卓越的性能和可靠性,为电力电子行业树立了新的标杆。

  HPJ120C080R拥有高达1200V的耐压能力,确保在极端电压条件下稳定运行。其独特的导通电阻(RDS(ON))设计,实现了低损耗与高效率之间的完美平衡,为系统能效的提升提供了有力支持。在高频应用中,HPJ120C080R展现出了极快的开关速度,有效降低了开关损耗,进一步提升了系统性能。

  此外,HPJ120C080R采用了先进的SiC材料,具备出色的热稳定性和高温工作能力。即使在高温环境下,该MOSFET也能保持稳定的性能输出,延长了系统的使用寿命,提高了系统的可靠性。这一特性使得HPJ120C080R在电动汽车、工业电源、太阳能逆变器等高要求应用场景中,具有广泛的应用前景。

  总之,HPJ120C080R SiC MOSFET是SemiHow在SiC技术领域的又一力作。它以其卓越的性能、高可靠性和广泛的应用适应性,为电力电子行业的发展注入了新的活力。