成为拥有核心技术的半导体元器件供应商和解决方案商
电话咨询(微信同号): +86 18926567115

产品中心

SemiHow-IGBT

HIA50N120H-SA

HIA50N120H-SA 是 SemiHow 公司推出的一款先进的 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 产品,它结合了 MOSFET 的高效率开关特性和双极型晶体管的高电流
产品详情

  HIA50N120H-SA 是 SemiHow 公司推出的一款先进的 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 产品,它结合了 mosfet 的高效率开关特性和双极型晶体管的高电流、高电压承受能力,使其成为众多高性能电力电子应用的理想选择。

  产品参数:

  额定集电极-发射极电压(Vce):1200V,这表示它能够在高电压系统中稳定工作,适用于现代电力应用的要求。

  集电极连续电流(Ic):100A,说明该器件能够处理较大的电流,适合于高功率应用。

  开关速度:该IGBT具有较快的开关速度,有助于减少在高频开关应用中的开关损耗。

  低饱和电压(Vce(sat)):低饱和电压减少了导通期间的功耗,提高了整体效率。

  产品特征:

  高效率:优化的设计减少开关和导通损耗,提供更高的系统效率。

  高可靠性:稳定的性能和长寿命设计满足工业应用的严苛标准。

  低导通损耗:IGBT在导通状态下具有低电压降特性,有助于减少功耗和提高效率。

  高温稳定性:即使在高温环境下也能保持性能稳定,这对于要求苛刻的工业环境来说是一个重要特性。

  应用方面:

  可再生能源:如太阳能发电和风能发电系统的逆变器和变流器,这些应用需要高效率和高可靠性的半导体器件。

  工业驱动器:包括用于控制电动机的变频器和伺服系统,这些系统要求器件能够处理高电压和大电流。

  电力传输:在高压直流传输(HVDC)和柔性交流输电系统(FACTS)中,这些应用需要能够承受和开关高电压的IGBT。

  电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):用于电动汽车的牵引驱动系统和充电系统,这些系统需要高效率和高功率密度的IGBT。

  HIA50N120H-SA 的高性能参数和特征使其成为各种高压和高功率应用的可靠选择,为设计者提供了一个强大的工具,用以创建更高效、更可靠的电力电子系统。SemiHow 提供的技术资源和支持确保客户能够充分利用这些IGBT产品的优势,实现他们系统的最佳性能。