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碳化硅IGBT与普通IGBT在电动车电耗中的影响

作者: 浮思特科技2024-08-26 15:01:41

  随着电动车技术的不断进步,功率半导体器件的性能对电动车的整体能效起着至关重要的作用。在众多的功率半导体中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于其优良的开关特性和高功率处理能力,广泛应用于电动车的电机驱动系统中。近年来,碳化硅(SIC)IGBT逐渐走入人们的视野,与传统的硅(Si)IGBT相比,具有更高的能效和更佳的热管理性能。本文将探讨碳化硅IGBT与普通IGBT在电动车电耗方面的差异及其影响。

碳化硅IGBT

  IGBT的基本原理

  IGBT是一种结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的高载流能力的半导体器件。它通过控制栅极电压来实现对电流的调节,广泛应用于电机控制、变频器等领域。普通硅IGBT在高电压和高电流条件下表现出良好的开关特性,但在高频率和高温环境下,其性能受限。

  碳化硅IGBT的优势

  更高的开关频率:碳化硅材料具有更高的击穿电场强度和更低的导通电阻,使得SiC IGBT能够在更高的开关频率下工作。这一特点对于电动车的电机驱动系统尤为重要,因为高频率可以提高系统的功率密度,减小系统体积,从而减轻电动车的整体重量。

  更低的导通损耗:SiC IGBT在导通状态下的电压降较低,因此在大电流工作时,其导通损耗显著低于Si IGBT。这不仅提高了系统的能效,还减少了所需的散热装置,从而进一步减小了系统的体积和重量。

  更好的热管理性能:碳化硅材料的热导率远高于硅材料,这意味着SiC IGBT能够更有效地将热量散发出去。这种热管理优势使得SiC IGBT即使在高温环境下工作时,也能保持良好的性能,提升了电动车的可靠性和耐久性。

  抗辐射能力强:碳化硅材料对辐射的耐受能力较强,适用于一些特殊环境下的电动车应用,如军事和航空航天领域。

  电耗的影响

  在电动车中,IGBT的性能直接影响到驱动系统的电耗。普通硅IGBT由于其较高的开关损耗和导通损耗,导致在长时间运行时电能消耗增加。根据相关研究,使用SiC IGBT的电动车在相同条件下,电耗可降低10%到30%左右。这对于电动车的续航里程和经济性是一个显著的提升。

  续航能力提升:碳化硅IGBT的高效性能意味着电动车可以在相同电池容量的情况下,行驶更长的距离。电动车的续航能力是消费者选择的重要因素之一,因此使用SiC IGBT的电动车在市场上具有更强的竞争力。

  充电效率提高:在快充场合,SiC IGBT能够承受更高的电压和电流,提高充电转换效率,减少充电时间。这不仅提升了用户体验,也减少了电力损耗。

  能耗成本降低:碳化硅IGBT的高效能意味着在日常使用中,车主所需支付的电力成本将显著降低。这一经济效益不仅吸引了消费者,也促进了电动车制造商在技术上的不断创新。

  总结

  综上所述,碳化硅IGBT相较于传统的硅IGBT在电动车的电耗方面表现出显著的优势。其高开关频率、低导通损耗、优越的热管理性能以及抗辐射能力,使得电动车在续航能力、充电效率以及能耗成本方面均得到了提升。随着碳化硅技术的不断成熟和成本的逐渐降低,未来的电动车市场将可能会更加广泛地应用碳化硅IGBT,为绿色出行提供更强有力的支持。

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