当我们谈论反激电路时，注意力往往集中在mosfet导通的那一刻。但事实上，MOSFET的关断，才是整个反激电路能量传递和电压变换的真正起点与核心。理解这一刻发生的故事，是彻底读懂反激拓扑的关键。

一、 导通与关断：一场默契的“能量接力赛”

首先，我们简单回顾一下反激电路的基本工作流程：

MOSFET导通时：初级绕组通电，电流线性上升，电能以磁场能的形式“储存”在变压器(更准确地说是耦合电感)中。此时，由于次级绕组极性相反，输出二极管处于反向偏置而截止，负载由输出电容供电。此时，能量只存不放。

MOSFET关断时：这才是戏剧性转变的开始。一旦MOSFET关断，初级回路被切断。根据楞次定律，变压器所有绕组的感应电动势会立即反向。这个动作，如同按下了一个能量释放的开关。

二、 MOSFET关断时的三大核心作用

那么，在关断的瞬间，MOSFET究竟扮演了哪些关键角色呢?

1. 触发能量传递，实现“能量搬运”

这是最根本的作用。关断行为本身，切断了初级绕组的电流通路，迫使储存在变压器中的磁场能无法维持，必须寻找新的释放路径。此时，次级绕组的感应电动势变为“上正下负”，输出二极管正向偏置而导通。磁场能通过次级绕组和二极管，向输出电容和负载释放，转化为电能。可以说，没有MOSFET的“关”，就没有能量的“放”。

2. 塑造电路工作模式(DCM与CCM)

MOSFET关断的时机和持续时间，直接决定了电路工作在连续导通模式(CCM)还是断续导通模式(DCM)。

在DCM下：MOSFET会在次级绕组电流下降到零之后才再次导通。这意味着在关断期间，所有储存的能量都被完全释放。

在CCM下：MOSFET在次级电流尚未降至零时便再次导通。这意味着关断时间不足以释放全部能量，变压器中始终存在“残留”能量。

设计者通过控制MOSFET的关断时间(即占空比)，可以灵活地选择工作模式，以在效率、体积和成本之间取得最佳平衡。

3. 承受电压应力，保障系统安全

关断瞬间，由于变压器漏感的存在，会产生远高于输入电压的尖峰电压(Vpk)。这个电压与输入电压(Vin)、反射电压(Vor)一起叠加在MOSFET的漏极上，形成巨大的电压应力：Vds = Vin + Vor + Vpk。

因此，MOSFET在关断时必须能够承受这个高压。为了保护MOSFET，通常需要设计RCD钳位电路或其它吸收电路，来消耗漏感能量，抑制电压尖峰。MOSFET的关断过程，是其承受最严酷电气应力的时刻，也是电路可靠性设计的重中之重。

三、 总结：从“开关”到“核心调度”

总而言之，反激电路中的MOSFET，绝不是一个简单的开关。其关断动作，是一个承上启下的核心节点：

它标志着储能阶段的结束和释能阶段的开始。

它通过关断时长，定义了电路的工作模式。

它自身承受着最高的电压应力，是系统安全的生命线。

因此，深入理解MOSFET关断时的作用，不仅是读懂反激电路的钥匙，更是进行高效、可靠电源设计的基石。下一次当你分析反激电路时，请多关注那个“沉默”的关断期，那里正上演着能量传递最精彩的戏码。

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