成为拥有核心技术的半导体元器件供应商和解决方案商
电话咨询(微信同号): +86 18926567115

新闻资讯

知识专栏

碳化硅(SiC)MOSFET 提升电机控制功率效率与可靠性的5种方式

作者: 浮思特科技2025-10-15 13:53:17

随着更多行业实现自动化,电动机的应用日益普遍。其中,工业领域所使用的电动机不仅体积最大,功率也最强。在该领域,碳化硅(SIC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借更卓越的性能,正迅速取代硅绝缘栅双极型晶体管(Si IGBT)。

碳化硅能够以更高效率实现更高开关频率,这是一项显著的技术飞跃。碳化硅 MOSFET 结构通过降低能量损耗、提高系统可靠性和增强热耐久性,正在改变电机控制技术。这项技术为下一代高效工业系统的研发提供了可能。

碳化硅MOSFET

碳化硅 MOSFET 提升效率与可靠性的 5 种方式

从电动汽车(EV)到机器人,高效的电机控制对现代设备的性能起着关键作用。多年来,传统硅基元件一直是行业标准,但碳化硅元件正逐渐取代它们,核心原因在于其能提升功率效率与可靠性。

1. 开关损耗极低

与硅基晶体管相比,碳化硅 MOSFET 的开关速度快得多。这使得晶体管在耗能的过渡状态中停留时间更短,每一个工作周期都能节省能量。提高开关速度不仅能减少电机控制逆变器的功率损耗,还能实现更高频率的运行。

2. 导通损耗更低

在击穿电压相同的情况下,碳化硅器件的单位面积导通电阻远低于硅基器件。导通电阻越低,晶体管处于 “导通” 状态时的导通损耗就越小,因此在电机控制应用中 —— 这类场景下晶体管在大部分运行周期内都需要传导电流 —— 效率能得到显著提升。当开关完全导通时,以热量形式浪费的能量也会更少。

3. 击穿电压更高

碳化硅的介电击穿强度约为硅的 10 倍,因此能承受更高电压,同时实现更低电压降。碳化硅器件不仅能达到极高的击穿电压,单位面积导通电阻还相对较低,这使其在高压应用中展现出更高的可靠性。

4. 工作温度更高

碳化硅的热导率更优,工作温度也远高于硅,这让它能更高效地散热。其宽禁带特性使其在极高温度下仍能稳定工作,简化了电机控制系统的热管理流程。对于严苛应用场景(如在高温环境中运行的工业电机),碳化硅是理想选择。

5. 功率密度更高

更低的开关损耗与导通损耗,让采用碳化硅 MOSFET 的电机控制系统能在更高开关频率下运行,且不会导致效率大幅下降。碳化硅器件可适应更高频率、更高电压与更高温度的工作环境,这使得电机控制设计能更紧凑、更高效,最终实现功率密度的提升。

这些特性如何转化为实际应用优势

碳化硅的这些物理特性能转化为多项实际应用优势,其中最重要的就是提升电机控制应用的可靠性。通过降低能量损耗、增强热耐久性与提高介电击穿强度,碳化硅 MOSFET 结构让系统运行更稳定。

降低电机控制系统的热应力与电应力,能延长系统使用寿命,减少故障点。这对行业从业者而言,意味着非计划停机时间减少,生产效率提升。从硅基元件到碳化硅元件的转变看似微小,但在对运行时间要求极高的时间敏感型工业领域,却能产生巨大影响。

此外,热导率提升等特性还能缩小散热器尺寸,甚至无需额外设置冗余部件,从而减少系统整体体积与重量。功率密度的提高也有助于实现更小巧的设计 —— 效率越高,系统结构就能越紧凑。

以现代电动汽车为例,其采用的是 400 伏(V)或 800 伏高压电池系统,且目前正朝着更高电压方向发展,以实现更高效率与更快充电速度。基于碳化硅的车载充电系统,功率密度可达到每升 4 千瓦甚至更高,充电效率也能超过 96%。

从更广泛视角看待碳化硅 MOSFET 结构

系统整体可靠性由电子元件与机械元件共同决定。在时间敏感型与精度驱动型行业中,即便是最微小部件的质量,也会对系统产生关键影响。生产过程中对这些小部件的处理方式,直接决定了最终产品的质量与性能。但小部件在处理过程中容易出现问题,比如损坏、安装方向错误或丢失。

碳化硅 MOSFET 本身属于小型复杂元件,对制造精度要求极高。虽然它们对功率效率与设备性能至关重要,但电机的机械完整性也同样重要 —— 每一个微小部件都必须经过精密加工。

在由碳化硅 MOSFET 驱动的电动机系统中,单个部件可能产生寄生电容,空气间隙也可能导致杂散电容产生。这些电容可能引发电磁干扰、电压尖峰、寄生导通或开关振荡。若不及时处理,可能导致部件过早磨损,甚至整个系统故障。

除了成熟的批量精加工技术外,自动化技术与现代工业机器人也是制造碳化硅基电机的关键。不过,尽管近 80% 的制造商认为智能制造能提升竞争力,但仅有 50% 愿意为此投入资金。而早期采用者将为行业树立新标准。

对工业电机控制的未来影响

碳化硅并非硅之后的简单 “下一步”。它不只是对现有技术的渐进式改进,更是一种变革性技术,能为未来电机控制应用提供新可能。其运行过程中的能量损耗显著更低,热耐久性更优,且在高压应力下天生更不易老化。

由于碳化硅技术解决了长期存在的功率效率与系统可靠性难题,它有望在不久的将来完全取代硅基元件。这对工业电机的未来发展而言,是一个积极信号。

与传统解决方案相比,碳化硅技术在所有关键性能维度上都更具优势,是高温、高压、高频应用场景的理想选择。它能让电动汽车充电更快、机器人精密设计更易实现、可再生能源逆变器效率更高,还能延长工业电机的使用寿命。简而言之,碳化硅正从根本上改变电机控制技术。

需要注意的是,高开关频率可能引发电磁干扰,但通过栅极控制方法,可将开关损耗降至最低。在高功率应用中,采用现代技术优化开关过程(而非简单依靠栅极电阻控制开关),能进一步提升碳化硅 MOSFET 结构的可靠性。

碳化硅基电机将逐步取代传统电机

在电力电子系统中,碳化硅 MOSFET 结构将取代硅基器件。通过实现更小巧的系统设计、降低能量损耗与提高整体可靠性,碳化硅技术将重塑恶劣高温工业环境中的高压系统。无论是感应电机还是高扭矩伺服电机,都能从这项技术中获益。

浮思特科技专注功率器件领域,为客户提供igbt、IPM模块等功率器件以及MCU和触控芯片,是一家拥有核心技术的电子元器件供应商和解决方案商。