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埃尔朗根 - 纽伦堡大学(FAU)的研究人员与三安光电合作，开发出一款效率超过 99.6% 的软开关逆变器。这一技术突破能帮助电动汽车制造商提升续航里程，并充分发挥宽禁带半导体的性能优势。
在选择二极管时，你可能经常听到“肖特基二极管”这个大名，它常常被贴上“高效”、“高速”、“低压降”的闪亮标签。但当你准备采购时，却发现它好像不止一种，让人眼花缭乱。
电源管理芯片，作为现代电子设备中不可或缺的组成部分，几乎出现在我们日常使用的所有电子产品中。
超宽带隙半导体被视为电力电子领域的下一个前沿方向。这类材料包括氧化镓、氮化铝和金刚石，相比碳化硅或氮化镓制成的宽带隙器件，它们具有显著的理论优势
面对市场上琳琅满目的芯片，8位单片机和32位单片机的抉择常常让工程师，尤其是初学者感到困惑。它们之间究竟有何本质区别?又该如何根据项目需求做出最佳选择?
碳化硅(SiC)已成为电力电子领域最具变革性的宽带隙(WBG)半导体技术之一。碳化硅 MOSFET 和碳化硅二极管的性能显著优于传统硅基器件，具备更高的击穿电压、更快的开关速度以及实际工作条件下的超高...
作为第三代半导体的核心器件，它用碳化硅(SiC)材料替代传统硅基，在性能上实现了质的飞跃，成为电力电子领域的 “香饽饽”。
无掩模光刻技术的优势在于无需制作光掩模，即可在表面(无论是印刷电路板还是先进封装基板)上形成图形。
氮化镓(GaN)晶体管在现代高频和高功率电子设备中迅速崛起，应用范围从5G基站到消费设备的紧凑型电源适配器。其独特的材料特性，如宽禁带、高电子迁移率和优良的热导率
在智能化席卷各行各业的今天，我们早已习惯了智能手机、平板电脑上流畅的触控体验。然而，当触控技术从舒适的办公室和家庭环境，走向嘈杂、多尘、油污甚至极端温度的工业车
当我们谈论电动汽车的动力、续航与能效时，有一个核心部件虽不显眼，却至关重要——它就是IGBT模块。这个看似陌生的名词，实则是决定电动汽车性能高低的关键所在。
在32位ARM内核和RISC-V大行其道的今天，8位单片机是否已经过时?答案是否定的。凭借其极高的性价比、优异的功耗控制和成熟的生态，8位单片机依然是无数嵌入式项目的“心脏”
你是否曾想过，为什么我们的手机电量可以从20%快速回血?为什么电动汽车能智能分配电能?这一切的背后，都离不开一个默默无闻的“电力管家”——电源管理芯片
在追求高效、节能、小型化的科技浪潮中，一种名为“碳化硅”的宽禁带半导体材料正以前所未有的速度改变着我们身边的能量世界。作为其中的集大成者，碳化硅功率模块，已不再是实验室里的新奇概念
你是不是也曾经好奇过，身边那些小到玩具车、大到一些家用电器里的有刷直流电机，它们是怎么说转就转，说停就停的?别看它个头小，里面的世界可精彩了。今天，咱们就来掀开
咱们平时聊到电子元件，可能对“二极管”有点印象，但一加上“SIC”(碳化硅)前缀，不少人就犯迷糊了：这SIC二极管到底是啥?啥时候才会用到它呢?
大家好!是不是经常在项目里遇到要监测电流的情况，然后面对琳琅满目的电流传感器就犯了选择困难症?别慌，今天咱们就像聊天一样，把电流传感器的选型这件事儿给它整明白!
在追求高效、节能、小型的现代电力电子世界中，硅(Si)基功率器件长期以来占据着统治地位。然而，随着其物理性能逐渐逼近理论极限
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