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与硅相比，使用宽带隙半导体的最大改进之一是其电气性能，但这并非没有其自身的问题
本文介绍了当今照明设计人员面临的几个主要限制，并探讨了如何通过符合 AEC1 要求的新型汽车 LED 模块来解决这些问题。
更广泛的采用取决于进一步降低成本和批量生产，以满足全球电气化程度不断提高对功率半导体的强劲预测需求。在本文中，我们将讨论 工程 SiC 衬底的潜在优势。
碳化硅 (SiC) 器件具有更高的电子迁移率、更低的损耗以及在更高温度下工作的能力，因此在具有挑战性的功率应用中得到了广泛接受。
碳化硅(SiC)MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是一种基于碳化硅材料的功率半导体器件，它结合了MOSFET的优点和SiC材料的特性
IPM模块是一种集成电路，它集成了IGBT晶体管与驱动电路，并且常常整合了失效保护功能和系统控制接口。
半桥和全桥驱动芯片作为市场上两种主流的解决方案，它们各自拥有独特的特点和适用场合。今天浮思特将深入探讨半桥驱动芯片与全桥驱动芯片的本质区别
硅基半导体材料的传统极限逐渐显现，而碳化硅(SiC)作为一种新型宽禁带半导体材料，正以其卓越的性能在电力电子领域掀起一场革命。今天浮思特将带您深入了解SiC芯片和模块的特点
功率mosfet(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)作为现代电子电路中至关重要的元件，广泛应用于电源管理、开关电路和放大器等领域。
在物联网(IoT)和便携式电子设备的浪潮中，低功耗微控制器单元(MCU)芯片已成为推动技术革新的关键因素。这些芯片以其卓越的能效比，为智能手表、健康监测器、智能家居设备等提供了持久的电池寿命和高效的数...
二极管作为基础的半导体器件，其性能直接影响到整个电路的效率和稳定性。近年来，随着新材料技术的突破，碳化硅(SiC)二极管因其卓越的性能逐渐受到业界的关注。这篇文章将对比分析碳化硅二极管与传统肖特基二极...
在现代电子技术领域，PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor)管作为一种重要的半导体器件，其工作原理和应用广泛受到工程师和技术人员的关注。本文将深入探讨PMOS...
场效应管(MOSFET)放大电路是现代电子设备中的关键组件之一。它们以其高输入阻抗和低噪声特性，广泛应用于各种电子电路中。
在这场变革的前沿，新型汽车级光伏MOSFET驱动器以其卓越的性能和效率，正成为推动电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)发展的关键技术。浮思特将深入探讨这一创新技术
本文将讨论IGBT的优点和应用价值，包括其低开关损耗、高效率、高可靠性、电压控制能力等，以及其在电力电子、工业自动化和新能源中的应用。
高功率和高开关频率的结合对于移动应用非常重要。只有通过高开关频率才能显着减小电感和电容元件的尺寸。
功率开关器件在各种应用中扮演着至关重要的角色，从简单的家用电器到复杂的工业系统，它们的作用不可小觑。
本文将深入探讨如何通过一系列创新技术和严格的质量控制措施，来提升SiC功率模块的可靠性，以满足日益增长的数据中心、电动汽车、可再生能源等领域的严格要求。
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