SemiQ公司近日发布了采用第三代碳化硅(SIC)技术的新型1200V SOT-227共封装MOSFET模块系列。这些新一代器件采用更小的芯片尺寸，可实现显著提升的开关速度，同时降低导通与开关损耗，从而增强高性能电源应用的整体效率。

目前该系列坚固易安装的模块包含六款核心产品——GCMS008C120S1-E1、GCMX008C120S1-E1、GCMS016C120S1-E1、GCMX016C120S1-E1、GCMS040C120S1-E1和GCMX040C120S1-E1，其导通电阻(RDS(on))范围覆盖8.4mΩ至39mΩ。其中GCMX040C120S1-E1模块实现了仅67纳秒的惊人开关时间。此外，SemiQ还推出了两款80mΩ导通电阻的模块(GCMS080C120S1-E1和GCMX080C120S1-E1)，共同构成了面向严苛电力环境的完整产品家族。

这些共封装MOSFET集成肖特基势垒二极管，凭借极低的导通能量损耗，即使在高结温条件下也能提供卓越的开关损耗性能。新模块专为太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电桩及高效服务器电源等应用场景设计。为确保可靠性，每款器件均经过严格的晶圆级栅极氧化物老化筛选和超过1400V的电压测试，雪崩鲁棒性评级最高达330mJ(RDS(on)=39mΩ)至800mJ(RDS(on)=16.5或8.4mΩ)。

在1200V漏源电压(VDS)下工作时，该系列SiC MOSFET模块将总开关损耗降至468µJ(以GCMX040C120S1-E1为例)，反向恢复电荷低至172nC。模块采用高热性能设计，具有较低的结壳热阻，并通过4kVAC电气隔离测试的隔离背板可直接安装散热器。

QSiC 1200V MOSFET系列支持-55°C至175°C的连续工作及存储温度范围，栅源工作电压优化为-4.5V至+18V(绝对最大额定值-8V至+22V)，功耗能力根据RDS(on)值和25°C热条件在183W至536W之间。

电气性能方面，模块典型结壳热阻为0.23°C/W(RDS(on)=8.4mΩ)，零栅压漏电流仅100nA，栅源漏电流10nA。在开关速度最快的型号中，用户可获得13ns的开启延迟时间、7ns的上升时间、18ns的关断延迟以及29ns的下降时间——这些特性使其成为高速高效系统的理想选择。

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