东芝电子设备与存储株式会社(“东芝”)推出了四款新的650V碳化硅(SIC)MOSFET，这些器件采用了其先进的第三代SiC MOSFET芯片。这些器件采用紧凑的DFN8x8表面贴装封装，旨在满足广泛的工业设备需求，包括开关电源和光伏系统的电源调节器。新型号“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”的正式出货从今天开始。

这些最新产品标志着东芝首次在紧凑的DFN8x8封装中采用第三代SiC MOSFET，相较于传统的插针封装(如TO-247和TO-247-4L(X))，其体积减少超过90%。这种显著的缩小提高了最终设备的功率密度。此外，表面贴装使得相较于插针封装可以使用更小的寄生阻抗元件，从而有助于减少开关损耗。

DFN8x8是一个四脚封装，支持信号源端的凯尔文连接，减少了内部源线电感的影响。这使得开关速度更快。例如，与现有的东芝设备相比，TW054V65C的开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%，从而提高了系统设计的整体功率效率。

目标应用：

用于服务器、数据中心和电信系统的开关电源

电动汽车(EV)充电基础设施

光伏逆变器

不间断电源(UPS)系统

主要特点：

DFN8x8表面贴装封装有助于紧凑的系统设计，并支持自动化组装，具有低开关损耗

集成东芝的第三代SiC MOSFET技术

漂移电阻和通道电阻的优化平衡提供了良好的温度特性，降低了漏源的导通电阻

低漏源导通电阻和栅源电荷的乘积

低二极管正向电压：在VGS = -5V时，VDSF = -1.35V(典型值)

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