ROHM和英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)近日签署了一项谅解备忘录(MoU)，旨在共同开发和交叉互通硅碳化物(SIC)功率半导体的封装方案。此次合作的目标是满足多种应用需求，包括车载充电器、光伏发电系统、能源存储设备以及人工智能数据中心等领域。

根据协议，ROHM和英飞凌计划互为选定SiC功率器件封装的第二来源。这一合作策略旨在为客户提供更大的设计灵活性和采购安全性，同时也为客户提供多样化的采购选择。通过这一方式，客户能够从ROHM和英飞凌两家公司获取兼容的设备，确保设备之间的互换性和无缝集成，以满足市场上日益多样化的需求。

在合作的具体安排上，ROHM将采用英飞凌的先进顶部冷却平台，这一平台适用于多种SiC封装形式，包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK双和H-DPAK等。英飞凌的顶部冷却设计带来了多个显著优势，特别是所有封装的高度统一为2.3毫米。这样的标准化设计简化了系统的整体设计，降低了冷却成本，并提升了电路板空间的使用效率，使得功率密度可达传统解决方案的两倍。

与此同时，英飞凌也会将ROHM的专有DOT-247封装与SiC半桥配置整合到其产品线中，这将进一步扩展英飞凌最近推出的双TO-247 IGBT系列至基于SiC的半桥器件。ROHM的DOT-247封装架构能够有效地将两个TO-247外壳结合为一个，显著提高了性能。与传统TO-247封装相比，DOT-247在热阻上降低了约15%，在电感上减少了50%，功率密度提升了超过两倍，达到约2.3倍的水平。此外，这种封装设计还简化了组装工艺，促进了更紧凑系统的设计。

展望未来，ROHM和英飞凌计划进一步扩大合作范围，涵盖更多封装形式，除了SiC之外，还包括硅和氮化镓(GaN)功率技术。这一扩展将有助于深化双方的战略合作关系，同时为客户提供更多的互操作解决方案和采购途径，满足市场上日益增长的技术需求。

随着SiC基半导体技术的迅速发展，其在高功率应用中的性能已经达到了新的标杆。SiC技术能够实现更快速和更高效的电气开关，适应严酷的操作环境，并具备更紧凑的设计形式。依靠ROHM与英飞凌的SiC器件组合，客户将能够设计出更高能效的系统，推动电动汽车充电基础设施、可再生能源整合以及人工智能数据中心等关键应用的发展。此次合作无疑将为半导体行业带来新的动力，推动技术的创新与进步。

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