英飞凌科技公司近日宣布扩展其OptiMOS™ 7系列，推出专为工业和消费领域设计的新型mosfet。这一扩展旨在满足各行业对电力密集型应用在密度、效率和长期可靠性方面日益增长的需求。分立功率MOSFET作为电力电子的基石技术，仍然在这一领域发挥着重要作用。

在新的产品系列中，英飞凌推出的OptiMOS™ 7功率MOSFET特别针对高性能开关和马达驱动系统进行了优化，关注于在各种应用中降低RDS(on)的需求。新系列不仅增强了在汽车市场的应用，还扩展到其他工业和消费市场，为不同应用提供量身定制的解决方案。

OptiMOS 7 25 V MOSFET的推出标志着英飞凌在设计理念上的转变。这一系列的器件专门针对开关性能进行了优化，提供了多种变体，以满足当前市场的多样化需求。例如，这些MOSFET非常适合用于中间总线转换器(IBC)，这些转换器在48 V电源供电的人工智能处理器中广泛应用。同时，这些器件也适用于电信基础设施和传统服务器平台中的开关电源(SMPS)。

新系列的MOSFET提供两种不同的技术选择：一种优化用于硬开关场景，另一种则适合软开关设计。硬开关MOSFET具有优越的米勒比率性能和改进的优越性指标(FOM)，而软开关优化产品则提供超低的RDS(on)和卓越的FOMQg。与旧版OptiMOS™ 5 25 V系列相比，新的OptiMOS 7系列在RDS(on)方面减少了多达20%，并在FOM方面实现了高达25%的改善。

同时，OptiMOS 7 40 V MOSFET则专为马达驱动应用设计，提供降RDS(on)、优化的栅极性能、增强的噪声免疫能力，并且其安全工作区(SOA)比前代器件宽三倍。由于其较低的跨导，这些器件能够改善电流分布、抑制电压超调，并在苛刻条件下保持良好的工作性能，非常适合于电动工具、马达驱动和园艺设备等领域，这些应用对可靠性和效率有着严格要求。

新推出的25 V OptiMOS 7器件采用了源极向下的PQFN 3.3 x 3.3封装，支持底面和双面冷却，具有中心栅极布局，便于实现高效的PCB设计。同时，40 V的马达驱动优化版本则提供SuperSO8(5 x 6)和PQFN 3.3 x 3.3封装，为设计人员提供多种解决方案，以应对不同的性能和热管理需求。

通过这一系列产品的推出，英飞凌科技公司进一步巩固了其在电力电子市场的领导地位，致力于为客户提供高效、可靠的解决方案，以满足不断变化的市场需求。

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