Navitas近期宣布推出其全新的3300V和2300V超高压(UHV)硅碳化物(SIC)产品，这些产品涵盖了功率模块、分立器件和已知良品(KGD)格式。新推出的分立SiC mosfet可在TO-247和TO-263-7封装中获得，这些器件基于Navitas自有的GeneSiC平台，采用了先进的槽辅助平面(TAP)技术。

传统的第一代SiC MOSFET多采用平面拓扑设计，即栅极设置在半导体表面之上，而源极和漏极则水平嵌入硅基底中。然而，随着技术的发展，许多SiC制造商逐渐转向槽式设计。这种设计有助于提高器件的性能，包括优值(FoM)的提升、输入电容的降低、导通电阻(RDS(ON))的减少、芯片尺寸的缩小以及单元密度的提高。

槽式设计的工作原理是通过在半导体材料中刻蚀出凹槽，这些凹槽围绕栅极形成一个垂直的电流通道。尽管槽式设计带来了诸多优势，但它也存在一些挑战，尤其是在高电压阻断时，槽底的氧化层容易发生击穿。此外，制造过程中的缺陷可能导致侧壁和槽底的不一致，从而产生局部电场集中，影响器件的可靠性。

为了解决这些问题，Navitas采用了槽辅助平面(TAP)技术。这种技术通过构建分层的P+井，促进更均匀的电场分布，从而降低了因温度升高而导致的RDS(ON)增幅，改善了器件的可靠性。

Navitas在其产品的可靠性测试上也采取了更严格的标准，继续基于“AEC Plus”资格认证，超越了汽车电子可靠性标准AEC-Q101和行业标准JEDEC的产品资格要求。关键的补充测试包括动态反向偏置(D-HTRB)和动态栅极切换(D-HTGB)、功率和温度循环的持续时间，以及静态高温、高电压测试的延长时间。这些措施确保了Navitas产品在高温和高压环境下的可靠性。

3300V和2300V UHV SiC产品还采用了2023年推出的SiCPAK G+模块。这些模块利用行业标准的压接连接和内置的负温度系数(NTC)热敏电阻，支持半桥、全桥以及三电平T型中性点钳位(3L-T-NPC)拓扑设计。与传统的硅胶灌封材料相比，SiCPAK模块使用了更具热导性的环氧树脂复合材料，提升了机械和热可靠性，显著减少了铝氮化物(AlN)直接结合铜(DBC)层中的同心断裂故障。

Navitas的3300V和2300V SiC产品的推出，标志着高压功率电子技术的一次重要进步。这些产品不仅提升了器件性能，还在可靠性测试和封装技术上设立了新的标准，展现了Navitas在硅碳化物领域的创新与领导力。