意法半导体(STMicroelectronics)近日发布了其全新的VIPerGaN65W反激变换器，该产品在VIPerGaN系列中引入了一款集成700V氮化镓(GaN)晶体管和准谐振PWM控制器的65瓦变换器，封装尺寸仅为5×6毫米的QFN。这一新设备基于此前推出的VIPerGaN50W，旨在帮助工程师开发USB-PD适配器、快速充电解决方案以及更为高效的辅助电源，从而提升用户体验。

VIPerGaN65W采用了零电压开关(ZVS)准谐振特性，结合动态消隐时间和可调谷同步延迟功能，确保功率器件能够在谐振谷点精确激活。这一设计显著降低了开关损耗，并在各种输入电压和负载条件下实现了最大效率。这意味着无论在何种使用场景下，VIPerGaN65W都能保持优异的性能表现。

该设备的一项“谷锁定”特性可确保恒定的谷跳过，从而消除音频频率噪声，实现几乎无声的运行。为了进一步简化设计，VIPerGaN65W集成了专门调校的栅极驱动器，避免了对外部元件的需求。此外，高压启动电路和感应FET的集成也使得电流检测更加精准。

VIPerGaN65W支持多种工作模式，包括在高负载下的准谐振、在重负载和中负载下的谷跳过、中轻负载下的频率折返以及在轻负载情况下的突发模式。这些模式的灵活性使得开关频率能够根据负载情况进行调整，最大限度地减少导通损耗，限制电磁干扰(EMI)，并在短路条件下确保安全。

与VIPerGaN50W相同，新款VIPerGaN65W配备了一系列先进的电源管理功能，远超传统反激拓扑。其线路电压前馈功能有效防止由于电源波动引发的过量输出功率。同时，动态消隐时间技术根据输入电压的变化动态调整允许的最大开关频率，从而降低了开关损耗。

在保护机制方面，VIPerGaN65W集成了多重保护功能，包括输入和输出过压保护(iOVP和OVP)、热关断以及欠压/过压阈值，这些设计提升了系统的可靠性，确保在输入线路出现异常时设备仍能保持安全运行。

为了支持研发和快速原型开发，ST还提供了EVLVIPGAN65WF开发板。这款开发板实现了一个24V/65W的隔离反激设计，采用次级同步整流，兼容从90V到265V的广泛交流输入电压，方便工程师进行评估和测试。

总的来说，VIPerGaN65W的推出标志着意法半导体在高功率密度电源解决方案领域的进一步发展。其卓越的性能、灵活的工作模式和全面的保护机制，不仅为工程师提供了更多设计自由度，也将为用户创造更佳的使用体验。随着技术的不断进步，VIPerGaN系列的产品将继续在电源管理方面发挥重要作用。