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行业资讯罗姆半导体宣布，旗下采用紧凑型 TOLL(无引脚晶体管)封装的 SCT40xxDLL 系列碳化硅(SIC)mosfet 已全面量产。相较于传统 TO-263-7L 封装器件，TOLL 封装器件在电压耐受能力与导通电阻表现相当的前提下，散热性能提升约 39%。
这一性能优势，可使器件在维持扁平轻薄设计的同时，轻松应对更高功率负荷。
此类特性使其能够完美适配工业系统、储能平台、人工智能计算服务器以及小型化光伏逆变器等应用场景。当前，这些领域的制造商正面临 “提升功率输出、缩小系统体积” 的双重技术需求。
这一行业趋势，对功率 MOSFET 提出了严苛要求 —— 需要在愈发受限的空间内实现更高的功率密度。这一点在超薄 “薄饼型” 电源所采用的图腾柱 PFC 拓扑结构中尤为关键，这类场景往往要求分立器件的厚度控制在 4 毫米及以下。
罗姆此次推出的新款碳化硅 MOSFET 系列，成功解决了上述痛点：器件占用面积缩减约 26%，厚度仅为 2.3 毫米，约为传统器件的一半。
值得一提的是，市面上多数标准 TOLL 封装 MOSFET 的漏源极额定电压上限为 650V，而罗姆这款 TOLL 封装器件将这一指标提升至 750V。更高的耐压值不仅有助于降低栅极电阻，还能为应对浪涌事件提供更充足的安全裕量。
该系列产品包含 6 款不同型号，导通电阻覆盖 13 毫欧至 65 毫欧区间，所有型号已于 2025 年 9 月正式量产。
