高压应用碳化硅(SIC)解决方案设计商 SemiQ 公司宣布，其第三代 QSiC mosfet 产品组合新增七款 1200V 功率模块，专为电机驱动、工业逆变器及电动汽车充电应用打造。此次推出的七款 1200V 器件包括 B2 六单元模块、B3 四单元全桥模块及高电流 S3 两单元半桥模块。

B2、B3 及 S3 系列模块

所有新增模块均通过超过 1350V 的耐压测试，具备高可靠性体二极管，采用开尔文参考设计以保障稳定运行，并配备隔离式封装，可直接安装于散热片。产品最大结温(Tj,max)达 175°C，且结壳热阻(RthJC)较低，散热性能优异。

其中，六单元模块与全桥模块采用行业标准压接端子，实现无焊接连接。六单元模块通过优化寄生参数，在电机驱动、功率因数校正(PFC)升压变换器及高端 AC/DC 转换应用中可实现高效运行;全桥模块则聚焦单相逆变器与高压双向 DC-DC 系统，致力于提升功率密度与转换效率;半桥模块的持续漏极电流(ID)最高可达 608A，广泛适用于储能系统、工业逆变器及电动汽车快充设备等场景。

SemiQ 第三代 MOSFET 核心优势

SemiQ 1200V 第三代 QSiC MOSFET 于 2025 年 2 月首次推出，相比第二代产品，体积缩小 20%，比导通电阻(Ron,sp)与关断能量损耗均降低高达 30%。此外，产品在电气性能上实现多重升级：栅极驱动电压范围从 -10V/+20V 优化至 -8V/+18V，栅极阈值电压(Vth)提升至 3.5-4V，漏源导通电阻(Rds (on))低至 16mΩ，进一步提升了应用灵活性与运行稳定性。

为确保产品可靠性，SemiQ 对每一颗芯片均进行晶圆级栅氧化层老化测试，保障整批产品的一致性与耐用性;同时通过晶圆级无钳位感性负载(UIL)测试以应对感性开关场景，并在 175°C 高温环境下开展高温反向偏压(HTRB)测试，全面验证产品在极端工况下的稳定表现。

作为 SemiQ 官方授权合作代理商，浮思特科技已同步引入该系列第三代 1200V QSiC 功率模块，可为国内电机驱动、工业电源及新能源汽车领域客户提供原装正品供应、技术方案支持及快速交付服务。依托碳化硅器件的高效节能优势，浮思特科技助力客户产品实现性能升级与功耗优化，如需了解产品选型指南或样品申请，可联系我们的技术团队获取专业支持。