Power Integrations 公司推出全新 TOPSwitchGaN™ 系列 IC，将反激式变换器的功率能力提升至 440W，为传统的谐振和 LLC 拓扑结构提供了一种更简洁的替代方案。

通过将公司自有的 PowiGaN™ 技术与成熟的 TOPSwitch™ 架构相结合，新型 IC 显著降低了系统复杂度、设计时间和整体成本。在许多应用中，它们还能省去散热片，同时提高可制造性。

该系列 IC 在宽负载范围(10% 至 100%)内可实现高达 92% 的效率，并满足严格的能效法规要求，无需同步整流即可在待机和空载条件下实现低于 50mW 的功耗。其集成的 800V GaN 开关具有低导通电阻 (RDS(ON))，可降低导通损耗，从而在反激式设计中实现更高功率等级。

这些器件支持高达 150kHz 的开关频率，允许使用更小的磁性元件，实现更紧凑的设计。同时，它们还能提供足够的待机输出功率以支持系统管理功能，从而提高低功耗模式下的系统效率。

两种封装选项可满足不同的设计需求。薄型 eSOP-12 封装可在无散热片条件下支持高达 135W 的功率，适用于家用电器等紧凑型应用;而 eSIP-7 封装则提供更好的散热性能，并通过简单加装散热片支持更高功率等级，适用于电动工具、电动自行车和工业设备。

此外，TOPSwitchGaN IC 与 TinySwitch™-5 器件引脚兼容，使设计人员能够采用一致的设计方法，轻松将设计从 10W 扩展至 440W。

为加速开发进程，Power Integrations 提供了多种参考设计，包括适用于电器电源、工业电源和电动自行车充电器的解决方案。