Diodes Incorporated 推出了一系列符合汽车标准的N沟道mosfet产品，采用PowerDI8080-5封装，其中包括一款专为高效率48V系统设计的100V器件。

旗舰产品100V MOSFET——DMTH10H1M7SPGWQ，具有最大1.5 mΩ的RDS(on)，能够有效降低导通损耗，并提升热性能，适用于大电流应用场景，如用于转向和制动系统的无刷直流(BLDC)电机驱动、电池断开开关以及车载充电器等。此外，该系列还包括80V、60V和40V多个电压等级的产品，可覆盖从12V到48V的多种汽车电压应用场景。

其中，40V型号DMTH4M40SPGWQ具备超低0.4 mΩ的RDS(on);而逻辑电平型号DMTH4M40LPGWQ在4.5V栅极驱动下实现0.64 mΩ的导通电阻，非常适用于由微控制器驱动的应用，如执行器、风扇控制以及负载开关等。60V和80V器件则进一步拓展了在24V及更高电压系统中的性能优化能力。

所有器件均采用紧凑型PowerDI8080-5封装，尺寸为8 mm × 8 mm，占地面积64 mm²，相较传统TO-263(D2PAK)封装缩小约40%。其低高度设计(1.7 mm)有助于满足空间受限的汽车电子设计需求。

在散热性能方面，该系列产品通过铜夹片键合技术(copper clip bonding)显著降低结到壳的热阻，最低可达0.3 °C/W，并支持高达847A的大电流能力。海鸥翼(gullwing)引脚结构不仅便于自动光学检测(AOI)，还提升了在热循环环境下的可靠性。

总体来看，该系列MOSFET非常适用于对高效率、小型化以及优异热性能有较高要求的汽车及工业应用场景。