东芝已开始出货其新款 TW007D120E 的测试样品。该产品是一款采用沟槽栅结构的 1200V 碳化硅(SIC)mosfet，专为下一代人工智能数据中心电力系统及可再生能源应用而设计。

随着生成式人工智能的普及加速，数据中心正面临快速增长的功耗需求。大功率 AI 服务器和 800V 高压直流(HVDC)架构的日益普及，推动市场对更高效、更紧凑的功率转换系统的需求。为此，东芝开发了 TW007D120E，旨在通过提升功率转换效率并支持更高功率密度的设计来应对上述挑战。

新器件采用了东芝专有的沟槽栅 SiC MOSFET 结构，实现了业界领先的每单位面积低导通电阻。据东芝介绍，该设计在降低导通损耗的同时，也减少了开关损耗。与东芝现有产品相比，TW007D120E 的每单位面积导通电阻降低了约 58%，品质因数 RDS(on) × Qgd 改善了约 52%。

这些改进旨在提高 AI 数据中心电源的效率并减少发热，从而降低系统整体功耗。该器件采用东芝 QDPAK 封装，支持顶部散热，提升了热性能，并可在先进的功率转换级中实现更高功率密度的设计。

东芝计划在 2026 财年内将该器件投入量产，并有意进一步扩大其 SiC MOSFET 产品阵容，包括未来面向汽车领域的开发。东芝表示，新型沟槽栅 SiC 技术将提高数据中心和工业设备的能效，并减少二氧化碳排放。

TW007D120E 同样适用于光伏逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电站、储能系统以及工业电机驱动等应用。

其主要特性包括：低导通电阻、降低的开关损耗、15V 至 18V 的低栅极驱动电压，以及针对高要求功率应用优化的高散热性能 QDPAK 封装。

该器件的开发基于 JPNP21029 项目的成果，该项目获得了新能源产业技术综合开发机构的资助。